高電子遷移率電晶體（High Electron Mobility Transistor，HEMT）具有超高速、低功耗與低噪聲等優點，被廣泛地應用於高頻訊號處理、衛星通訊、微波與毫米波器件等領域，因此研製出高效的HEMT器件對於我國電子資訊科技的發展具有極其重要的意義；藉助於TCAD設計軟體，研究人員能夠直觀地對器件內部工作機理進行分析並設計出各類新型架構，省時、省力、省財地製備更高效能的HEMT器件。

　 近期，基於Crosslight公司先進的半導體模擬設計平臺，我司技術團隊為國內某高科技公司創新性地開發出了HEMT 3D結構計算模型，並實現了測試資料與計算資料的精確擬合 【見下圖】。 該計算模型充分考慮與深度優化了極化模型、載流子隧穿模型、缺陷模型、介面態模型、低/高場遷移率模型等關鍵模型，能夠準確地復現實際HEMT器件的真實工作狀態。此專案獲得到了該公司技術人員充分的認可與肯定，為進一步實現國產高階HEMT器件的自主研發與製備提供了重要的借鑑意義。

HEMT輸出特性曲線