最近，中國科學院上海光學精密機械研究所的研究人員提出了一種基於χ(2)非線性光學技術的電光係數測量新方法，用於精確測量KH2PO4 (KDP)和K(H1−xDx)2PO4 (DKDP)的線性電光係數。相關結果於2021年1月18日發表在《光學快報》上。

本文提出了一種利用χ(2)非線性光學技術的新方法。這種測量僅依賴於非線性材料中的非線性過程，其他傳遞過程不會影響它。

在此基礎上，對一系列不同氘化KDP晶體的線性EO係數進行了精確測量，並給出了不同氘含量DKDP晶體線性EO係數測定的結論公式。

此外，利用晶體的EO特性可以大大提高輸出四次諧波(FHG)能量的穩定性，這為深紫外鐳射的產生和擴充套件kdp家族晶體在鐳射技術和非線性光學領域的應用提供了重要的參考。