二氧化矽薄膜是一種效能優良的介質材料，它具有介電效能穩定，介質損耗小，耐潮性好，溫度係數好等優點，具有極其穩定的化學性和電絕緣性。因此，二氧化矽在積體電路工藝中的應用很廣泛。

正是由於二氧化矽薄膜在積體電路工藝中應用的廣泛性，所以需要製備具有不同特性的二氧化矽薄膜，這就意味著要不斷研發出各種新型的薄膜沉積技術。

近年來，常壓射頻冷等離子體技術，在薄膜沉積方面的應用越來越受到人們的重視，與傳統的沉積方法相比，它沒有真空室的約束，操作方便靈活，執行費用低。同時具有很低的反應溫度，不會對襯底造成熱損傷。

不同的加工目的，對等離子體特性的要求也不完全相同。在等離子體化學氣相沉積薄膜加工時，要求高濃度高活性的自由基粒子。這便要求等離子體有足夠高的電子和離子濃度，以及合適的電子溫度。同時為了獲得較大面積的均勻沉積薄膜，要求等離子體有足夠好的空間均勻性。

光譜分析學作為等離子體的一種診斷手段應用越來越廣泛，其最大優勢除了不會影響到等離子體本身的狀態，還對成分具有選擇性，而且還能得到時間和空間分辨的資訊。

光譜分析是利用物質的光輻射所獲得的光譜，對於外界能量激發下能夠發光的物質,可以採用這種分析方法。元素髮射的譜線數目、強度、形態和寬度等資訊與物質所處的物理狀態及物理參量，如溫度、壓力、粒子密度等具有密切關係。

通常情況下，以TEOS作為沉積源沉積二氧化矽薄膜的PECVD技術，一般認為TBOS會發生分解反應。TEOS在等離子體中被分解，產生固態的二氧化矽沉積到襯底上，而其它的分解產物均為氣態隨反應尾氣排走。

在光譜圖中檢測到的Si和C-H的特徵峰則表明TEOS在該等離子體中確實發生了分解反應，生成了矽的化合物和一些碳氫化合物。這也從光譜的角度反映出了二氧化矽是TEOS被等離子體分解後的產物。

我們發現二氧化矽的生長速率確實隨著輸入功率的增加而增大。它們具有極好的相似性，因此在實際生產中我們可以透過光譜中Si以及C-H的特徵峰的強度變化來判斷薄膜生長速率的變化，並由此來改變沉積薄膜時的工藝引數,以便得到我們所需要的薄膜沉積速率，提高成膜質量。