1、「天科合達」榮獲2020年度中國科學院科技促進發展獎

2021年1月15日，中國科學院2021年度工作會議在京召開，會議頒發了中國科學院2020年度各類科技獎項，北京天科合達公司和中國科學院物理研究所的“碳化矽晶體生長和加工技術研發及產業化團隊”榮獲2020年度中國科學院科技促進發展獎。

“碳化矽晶體生長和加工技術研發及產業化團隊”榮獲2020年度中國科學院科技促進發展獎

天科合達是專業從事第三代半導體碳化矽單晶襯底和外延研發、生產和銷售的國家級高新技術企業，是全球碳化矽單晶襯底和外延的主要生產商之一。經過多年研發投入和技術積累，公司形成擁有自主智慧財產權的“PVT碳化矽單晶生長爐製造技術”、“高純度碳化矽生長原料合成技術”、“PVT碳化矽晶體生長技術”、“低翹曲度碳化矽晶體切割技術”、“碳化矽晶片精密研磨拋光技術”和“即開即用的碳化矽晶片清洗技術”等六大核心技術體系，覆蓋“裝置研製—原料合成—晶體生長—晶體切割—晶片加工—清洗檢測”的碳化矽晶片生產的全流程。

2、比亞迪、中車時代電氣同時宣佈上市

1月初，比亞迪公告稱，公司董事會會議審議通過了《關於擬籌劃控股子公司分拆上市的議案》，董事會同意公司控股子公司比亞迪半導體股份有限公司（以下簡稱“比亞迪半導體”）籌劃分拆上市事項，並授權公司及比亞迪半導體管理層啟動分拆比亞迪半導體上市的前期籌備工作。無獨有偶，中車時代電氣也在港交所釋出公告稱，該公司就建議發行A股向上交所提交包括A股招股說明書（申報稿）在內的申請材料，上交所已予以受理並依法進行稽核。2019年中國新能源車IGBT（即絕緣柵雙極型電晶體）市場中，比亞迪半導體的市場份額排名第二，中車時代電氣也佔據了一定的市場份額。業內人士分析，政策支援疊加市場需求的大背景下，2021年功率半導體有望迎來高景氣週期，產業鏈相關企業上市，無疑將會加速其分享功率半導體行業紅利的程序。

3、青銅劍第三代半導體產業基地舉行奠基儀式

1月18日上午，青銅劍第三代半導體產業基地奠基儀式在深圳坪山隆重舉行，標誌著青銅劍集團發展邁入新階段。青銅劍第三代半導體產業基地是深圳市2020年重大專案，位於坪山區丹梓大道與光科三路交匯處西南角，佔地8073.79平方米，總建築面積近5萬平方米，預計2022年底完工。該基地將作為青銅劍科技集團總部，同時建設第三代半導體研發中心、車規級碳化矽功率器件封裝線和中歐創新中心孵化器等，最終形成國內領先的具備全產業鏈研發和生產製造能力的第三代半導體產業基地。

4、泰科天潤陳彤：力爭瀏陽專案春節前投產，滿產後年產值預計13億至14億元

瀏陽泰科天潤碳化矽晶片專案

泰科天潤瀏陽專案位於瀏陽經開區（高新區）新能源標準廠區內，如今90%的生產裝置已到位，大部分裝置處於工藝除錯階段。專案建成滿產後可實現6萬片/年的6英寸碳化矽功率晶片生產及銷售。這意味著，專案一旦投產，將打造一條極具市場競爭力的碳化矽功率器件生產線。依託這樣爭分奪秒的發展速度，泰科天潤有信心以最快的速度改變歐美國家對我國高階功率器件的長期壟斷格局，突破行業領域技術壁壘等問題。

5、科銳推出新型Wolfspeed WolfPACK SiC功率模組

1月12日，科銳宣佈推出 Wolfspeed WolfPACK™ 功率模組，擴充套件其解決方案範圍，併為包括電動汽車快速充電、可再生能源和儲能、工業電源應用在內的各種工業電源的效能開啟新時代。該新型 SiC 模組實現功率密度最大化，並在標準尺寸內簡化設計，顯著加快新一代技術的生產和推出，賦能包括非車載充電和太陽能解決方案在內的眾多快速增長的工業市場。

6、汽車廠商押注碳化矽 1月中旬，據韓媒報道，LG集團旗下子公司矽晶片有限公司（Silicon Works）日前宣佈擴大其半導體業務，重點押注碳化矽PMIC以及MCU。據瞭解，矽晶片公司此前更常以其驅動IC產品被業界所熟知。此次大動作轉向碳化矽晶片領域，不僅透露了其對從LG集團分拆後的發展規劃，更是從側面印證了碳化矽正在成為汽車領域冉冉升起的新星。自從2016年4月，特斯拉Tesla Model 3中率先採用了以碳化矽SiC MOSFET為功率模組的逆變器之後，截至當前，全球已有超過20家汽車廠商在車載充電系統中使用碳化矽功率器件。

7、新型金剛石MOSFET可提供更高效率

加的斯大學（UCA）的一組研究人員設計了一種基於高效半導體材料的電子電晶體，該電晶體具有新穎的結構，可應用於能源領域，例如風能和光伏電站以及電動汽車。隨著金剛石的摻入，研究人員在器件效率方面取得了顯著改善，從而將電力變壓器的重量和能量損失減少多達90％。 該器件的特性還使其在新結構中具有更大的通用性，使其成為電子工業領域，尤其是能源領域的真正有價值的產品。

8、山東國宏中能年產11萬片碳化矽襯底片專案啟動試生產

1月15日，由國宏中宇科技發展有限公司控股，山東國宏中能科技發展有限公司投資建設的年產11萬片碳化矽襯底片專案在山東河口經濟開發區建成並啟動試生產。山東國宏中能年產11萬片碳化矽襯底片專案總投資6.5億元，總建築面積3萬平方米。該專案於2020年2月入選山東省新舊動能轉換重大專案庫第一批優選專案名單，是市、區兩級重點專案。透過在材料製備技術體系、核心裝備研製上的持續科研投入，同時緊密結合研發成果的產業化生產轉化，目前本專案已經具備投產條件。本專案整體兩期規劃建設完畢並全部投產後，預計平均年營業收入約7億元，企業年納稅總額約5000萬元，新增中高階就業崗位超過200個。

9、我國在氮化鎵介面態研究方面取得重要進展

近日，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團隊與先導中心工藝平臺合作，在GaN介面態研究領域取得了重要進展，在LPCVD-SiNx/GaN介面獲得原子級平整介面和國際先進水平的介面態特性，提出了適用於較寬能量範圍的介面態U型分佈函式，實現了離散能級與介面態的分離。

原子級平整介面、先進水平介面態密度及U型分佈函式

相關論文連線：

https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0169433220332888

10、蘇州納維科技第三代半導體產業基地在蘇州園區奠基

1月24日上午，蘇州工業園區科技領軍人才企業蘇州納維科技有限公司舉行總部大樓奠基儀式。專案佔地面積超1.4萬平方米，總建築面積超3.4萬平方米，建成後，年產氮化鎵單晶襯底及外延片可達5萬片。蘇州納維科技2007年由中科院蘇州奈米所徐科研究員創立，致力於第三代半導體核心關鍵材料——氮化鎵（GaN）單晶襯底的研發與產業化。

11、北京：加速第三代半導體等領域技術和產品的研發過程

2021年1月20日上午，國務院新聞辦公室舉行新聞釋出會，介紹落實五中全會精神，加快推進北京國際科技創新中心建設的有關情況。會上，北京市副市長、秘書長靳偉表示，到2025年，北京國際科技創新中心基本形成。到2035年，北京國際科技創新中心創新力、競爭力、輻射力全球領先，形成國際人才的高地，切實支撐我國建設科技強國。未來五年，北京要進一步堅持“鍛長板”與“補短板”並重，立足科技自立自強，堅持有所為、有所不為，圍繞“四個面向”，開展重點領域關鍵核心技術研發工作，加速第三代半導體等領域技術和產品的研發過程。

12、工信部：海思、中芯國際等90家單位申請籌建“全國積體電路標準化委員會”

1月28日，工信部官網訊息，為統籌推進積體電路標準化工作，加強標準化隊伍建設，有關單位提出了全國積體電路標準化技術委員會籌建申請，秘書處擬設在中國電子技術標準化研究院，公示期一個月。對外公開的委員單位包括深圳市海思半導體、大唐半導體、華大半導體、展銳通訊等90家。工信部表示，積體電路作為資訊產業的基礎和核心，在國民經濟和社會發展中佔有舉足輕重的地位，建立一個自主創新能力不斷提高、產業規模不斷擴大的積體電路產業體系，對促進新興產業快速發展、支撐國家資訊化建設，促進國民經濟和社會持續健康發展具有重要的意義。

13、Cree將改名Wolfspeed，全面擁抱SiC

1月29日上午，Cree在其官方微訊號表示：“我們預計將於 2021 年底正式更名為Wolfspeed。我們的團隊對於創新和超越可能極限的承諾將始終不變。作為碳化矽 SiC 產業的全球引領者，我們已經做好準備，在未來賦能實現開創性的、高效節能的變革！”Wolfspeed位於美國北卡羅來納州三角研究園，過去近三十年來一直屬於Cree公司，是碳化矽功率器件和碳化矽基氮化鎵射頻功率解決方案的主要供應商之一。其核心競爭力包括碳化矽晶圓襯底製造，以及面向射頻功率器件、包含單晶氮化鎵層的碳化矽晶圓襯底製造。

14、2020年化合物半導體行業年度十大事件

1⃣️第三代半導體產業或將寫入“十四五規劃”

2⃣️長沙三安160億第三代半導體專案開工

3⃣️Cree推進建造全球最大SiC器件製造工廠

4⃣️華為投資入股北京天科合達、全芯微電子、瀚天天成

5⃣️全球最大氮化鎵工廠落地蘇州，一期投資60億

6⃣️臺積電將與意法半導體合作，加快GaN製程技術開發

7⃣️日本研發長晶新技術，1小時可製成優質GaN基底

8⃣️穩懋投850億新臺幣建廠

9⃣️比亞迪將自建SiC產線

10 露笑科技百億專案：第三代功率半導體產業園開工