陳政委博士是國際上最早開展超寬禁帶半導體材料氧化鎵研究的人員之一，歸國後於2017年12月開創性地建立了北京鎵族科技有限公司

Q：氧化鎵作為超/極寬禁帶材料，備受學界關注，並在日本產業界也得到極大的親睞，貴公司如何看待氧化鎵相關技術和未來產業化的發展？

A：氧化鎵作為超/極寬禁帶半導體材料，效能優勢非常明顯，其禁頻寬度為4.2-5.3 eV，擊穿電場強度高達8 MV/cm，是Si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上，巴利加優值分別是SiC、GaN的10倍、4倍以上，在製造相同耐壓的單極功率器件時，器件的導通電阻比採用SiC及GaN低很多。

氧化鎵是未來深紫外光電子器件、高功率器件、高頻通訊器件等器件製造的關鍵材料之一，自日本2012年2英寸氧化鎵圓晶片初步解決以來，氧化鎵材料受到各國科研人員的高度關注，例如：氧化鎵專題頂級國際研討會每兩年召開一次，分別在日本、義大利、美國召開。2018年1月份美國物理學會發表嘉賓社論：氧化鎵微電子及其器件的曙光以及2017年全球氧化鎵研發及從產業狀況的分析；在氧化鎵產業上，日本發展較早，三菱重工、豐田、日本電裝、田村製造、日本光波等著名企業介入氧化鎵的產業發展和佈局，發展態勢迅猛，美國相對緩慢，Kyma公司2020年推出1英寸氧化鎵晶圓；北京鎵族科技有限公司是國內首家專業從事氧化鎵材料與器件發展的產業化公司，經過近三年的發展，形成了氧化鎵晶體材料、氧化鎵外延材料、氧化鎵光電器件等核心自主技術，以國家重大需求和市場重要需要為導向，立足材料本身，開展產業化工作。