為了有效提升新型調光器件的綜合性能，有研究者表示可以使用WO3薄膜來代替TiO2薄膜，這主要是源於三氧化鎢薄膜具有更為優秀的半導體效應、更好的光電轉換效能和聲致變色效能等特點。下面，我們一起來了解一下氧化鎢薄膜的生產方法。

目前，氧化鎢薄膜的製備方法常見的有溶膠-凝膠法、蒸發法、濺射法、離子輔

助沉積法等。值得注意的是，反應磁控濺射法具有基片溫升低、沉積速率適中、膜層均勻性及附著力好、膜厚工藝引數易控制等優點。

反應磁控濺射方法生產薄膜的具體步驟如下：

（1）選取純度99.95%的金屬鎢靶，靶徑65mm，濺射工作氣體為氬氣和氧氣的混合氣體，氧氬比1:1，工作氣壓1.0Pa，濺射功率5 w/cm2，基片和鎢靶的距離7cm，濺射時間60 min，膜厚約為300 nm。

（2）基片分為普通玻璃和沉積有方阻為ITO 薄膜的玻璃，用洗滌劑去油後，依次用去離子水、丙酮、無水乙醇進行超聲清洗10 min，然後用乾燥的氮氣將基片表面吹乾。

（3）室溫條件下沉積的WO3薄膜樣品在大氣氛圍中進行不同溫度的退火處理，升溫速率為100℃/h，恆溫處理時間為2 h，自然冷卻，即可得到產物。

用普通玻璃為基片的薄膜進行X射線衍射和AFM 形貌檢測，用ITO 玻璃為基片的薄膜進行紫外- 可見光透過率和迴圈伏安曲線檢測。結果表明，室溫條件下沉積的原始態薄膜，及退火溫度200℃以下內的薄膜，基本保持著非晶結構，具有良好的Li+ 致色效能，薄膜的透光調控能力達到61.42%；隨著退火溫度的升高，薄膜開始晶化，Li+ 致色效能急劇下降。