紫外光電探測器在導彈預警、火災檢測、公共安全和環境檢測等領域具有廣泛的用途。基於肖特基金屬接觸電極的MSM結構紫外探測器由於製備工藝相對簡單、探測靈敏度較高等優勢，獲得了廣泛的關注。在光照條件下，當對MSM紫外探測器一側的金屬電極施加一定的偏壓時，兩側的金屬電極之間將會產生勢壘差，從而促進光生載流子的輸運與採集；然而如果想在零偏壓的狀態下實現光生載流子的輸運和採集，則需要透過調控兩個金屬肖特基電極之間的功函式差，從而可以在光吸收區域引起能帶的傾斜，促進載流子的輸運。

圖1 (a) 對比器件Device R的結構圖，(b) 新器件Device N的結構圖，(c) 所製備的GaN基MSM紫外探測器,（d）對比器件Device R在零偏壓下的能帶分佈示意圖，(e) 新器件Device N在零偏壓下的能帶分佈示意圖

圖2 對比器件Device R和Device N在零偏壓狀態下的(a)響應度、(b)能帶分佈圖和(c)水平方向上的電場向量分佈圖

該研究成果發表在了Photonics Research上 (https://doi.org/10.1364/PRJ.418813)，相關技術已經申請了專利(CN202010424746.0)。