經歷華為事件，我們知道了高階光刻機對於半導體行業的重要性。但重要的不僅是作為加工裝置的光刻機，原材料同樣重要。目睹了2019年日本限制對韓出口三種關鍵的半導體材料，對整個韓國半導體行業造成重大打擊，這也讓我們認識到了關鍵材料必須自給自足的重要性。日本限制出口韓國的三種半導體材料為氟聚醯亞胺、光刻膠和高純度氟化氫。其中，光刻膠是半導體制造中的核心材料。

12月17日，南大光電公告披露，其控股子公司寧波南大光電材料有限公司自主研發的ArF光刻膠產品近日成功透過客戶使用認證，可用於90nm-14nm甚至7nm技術節點。公告中寫道：本次產品的認證透過，標誌著‘ArF光刻膠產品開發和產業化’專案取得關鍵性的突破，成為國內透過產品驗證的第一隻國產ArF光刻膠，為全面完成專案目標奠定堅實的基礎。並且，該公司的ArF光刻膠生產線已建成，可根據客戶需要量產。

未雨綢繆，才能做到”手中有糧，心中不慌“。

中國本土半導體企業經過多年不懈努力，即將進入產能擴張期。未來幾年，中芯國際、長江儲存、紫光展銳、華虹半導體、華力微電子、武漢新芯、長鑫儲存等晶圓廠不斷擴產，高階光刻膠需求勢必大增，而尋求國產替代，將是半導體獨立自主的重要一步。

光刻膠是光刻工藝得以實現選擇性刻蝕的關鍵材料，半導體光刻膠是光刻膠產品系列中技術難度最高的，也是國產與國際先進水平差距最大的一類。

中國大陸半導體光刻膠僅佔光刻膠市場的 2%

“ArF光刻膠產品開發和產業化”是南大光電承接國家重點攻關專案，是2006年《國家中長期科學和技術發展規劃綱要(2006-2020年)》中提出《極大規模積體電路製造技術及成套工藝》專案中的重中之重。

南大光電從2017年為此專案總投資額為6.6億元，其中國撥資金1.9億元，地方配套資金1.97億元，使用上市時的超額募集資金1.5億元和自籌資金。而最近三年，南大光電淨利潤增速劇降，2019年扣除非經常性損益後的淨利潤僅為上市前的五分之一。

這才是真正有擔當的企業，雖然自身處於困境，依然不放鬆為研發投入資金，為國家研發出需要的技術。真正的民族企業，並不是什麼行業賺錢就做什麼行業，而是國家需要你往哪個方向衝鋒，你就義無反顧地衝在最前線。

目前，中科院這樣的“國家隊”已經入局光刻機研發領域，中芯國際也在不斷改進光刻工藝，7nm製程的晶片將於2021年4月風險量產，而此次高階光刻膠的成功驗證，可見中國在半導體晶片領域的佈局已經初見規模，未來必將能與傳統半導體強國同臺競技。