雖然我國晶片產業起步晚，且面臨著海外技術封鎖與技術壁壘，但近幾年來，國產晶片產業可謂是進步神速，我國在多領域的空白都迅速被填補。

譬如，在晶片代工領域，身為我國大陸第一代工巨頭的中芯國際，僅用3年的時間，便實現了從28nm到7nm製程工藝的跨越，完成了一般公司10年都不一定完成的任務。

如今，中芯國際類似於7nm製程的第二代N+1工藝，正進行小量試產，預計在明年4月份風險量產。到時，中芯國際與臺積電的距離，便可以縮小到一代。

此外，成功打破美、韓、日在儲存晶片領域壟斷的長江儲存，表現也頗為亮眼。在3年的時間裡，長江儲存從32層3D NAND快閃記憶體，大跨步實現128層QLC 3D NAND快閃記憶體晶片，趕上了其他廠商6年的進度，追平了三星等業界一流廠商。

由此可以看出，我國晶片產業發展速度頗為迅速。

但是，在近日舉行的2020中國（上海）積體電路創新峰會上，清華大學教授魏少軍提醒到，儘管中國在積體電路領域進步很快，但就目前來講，核心技術受制於人，產品處於中低端的情況還沒有徹底改變。

這值得人們的關注，我們在為中國發展讚歎的同時，也要看到差距，只有這樣才能更好地前進。

我國積體電路落後的兩大原因為基礎研究與人才培養沒有跟上產業發展。

為此，我國高校、政府、企業等多方力量，已經在共同努力之中，正逐步改變這一狀況。

根據計劃，到2025年國產晶片自給率要爭取達到70%，將很大程度提升我國自主化、國產化程度。

目前，在半導體材料、半導體裝備領域，我國還處在落後的地位。日本針對第三種半導體材料，對韓國實施制裁一事，給我國產業發出了警醒。

同時，美國也正對中國實施管制，華為、中芯國際等中國科技企業，都成為美國的眼中釘，受到了制裁。這也讓國人更清晰地認識到，中國晶片產業仍被“卡脖子”，讓更多國人認識到掌握核心技術的重要性。

魏少軍表示，如今積體電路技術再一次走到岔路口，突破5nm製程所需的關鍵技術，將在新器件、新材料、新工藝，微納系統整合以及晶片構架這三個領域上實現。

我國能否抓住這一新機遇，就讓我們拭目以待。