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隨著晶片製造工藝的不斷向前推進，5奈米、3奈米、2奈米，甚至1奈米，晶片製造越來越接近物理極限，摩爾定律也或將面臨失效。

不過，這似乎還是不能阻擋臺積電、三星、英特爾等行業巨頭，以及各國研究團隊前行的步伐，他們一直都在試圖尋找新的思路突破晶片製造的瓶頸。

其中，用新型材料取代傳統的矽材料便是思路之一，目前我國在這方面走在世界前列，早前更是實現了8英寸碳基晶圓的生產，但是要想正式進入到量產仍需時日。

除此以外，還有一種巨頭們常用的思路，那就是改進電晶體技術。由於傳統的Fin電晶體技術在製程不斷縮小的情況下，晶片製造已經難以有新的突破，於是研發一種全新的電晶體技術就顯得尤為重要了。

近日，來自復旦大學微電子學院的訊息，該校周鵬團隊針對具有重大需求的3到5奈米節點電晶體技術，驗證了雙重溝通厚度分別為0.6、1.2奈米的圍柵多橋溝道電晶體，即為GAA技術。

這可是三星、臺積電都極為看重的新一代技術，且這兩家企業已經把 GAA放在了研發的首位。

在2010年世界半導體會議上，臺積電南京公司總經理羅鎮球表示，晶片製造工藝將繼續推進，摩爾定律仍然適用，臺積電將在低於2 nm的節點上採用 GAA技術。

同時， GAA電晶體也被譯為環柵電晶體，它是一種全新的結構，將取代14到5 nm的環柵電晶體結構，這將帶來巨大的變化。

當工藝過程向下發展到一定程度後，原來的電晶體設計就會受到限制，必須更換新的電晶體結構以確保電晶體能正常工作，而每更換一個新的工藝過程，就會有大批晶圓廠倒下。

上次發生類似事件是在2015年，當時全球半導體產業紛紛轉向14 nm工藝節點，臺積電、三星、英特爾、格羅方德和聯電等公司紛紛效仿。

而且當年成功攻克 Fin電晶體的只有臺積電、三星、英特爾，這也使三家工廠成為全球半導體產業的三大巨頭，遠遠落後於其他巨頭。

由此不難發現，先進工藝結構的競爭就是全球工廠的生死之戰，但 GAA技術的研發難度和投入也是前所未有的。

現在，據公開資料顯示，臺積電5 nm工廠的建造成本已超過百億美元，而採用 GAA技術的3 nm及以下晶圓廠的投入則更加驚人。

當前，中國半導體產業雖然生產環境限制了先進工藝晶片的生產，但 GAA技術的研究也是必不可少的。除晶圓廠外，中國還有海思、紫光展銳等多家晶片設計企業，以及晶片設計輔助軟體開發公司。

技術對這些企業的晶片設計有很大的影響，中國半導體產業在製造裝置方面受到限制，但決不能放棄對先進技術與工藝的研究與探索。