光刻機成中國晶片自主路上的藩籬

在這個科技智慧時代，小小的矽基晶片堪稱是“大腦”一般的存在，據統計，我國去年晶片半導體等領域的進口值達到了3400億，可見晶片的重要性，不過這也表明，我國自主生產晶片這方面相當薄弱。

在美國晶片禁令之後，任正非曾說過，“華為海思可以設計出全球最頂尖的晶片，但國內卻沒有相應的技術裝置用以製造”。晶片製造是重資產領域，其中高階EUV光刻機裝置扮演著晶片生產線上極為重要的角色。

不管是全球最大的晶片代工廠臺積電，或是能夠生產EUV光刻機的荷蘭ASML，都含有美科技和零配件，在美國政策限制之下，都不能對華為等企業自有出貨。

想要實現晶片自主，那麼我國就必須要克服光刻技術，這是矽基晶片領域的必經之路。

三個月前，中科院身先士卒，宣佈將光刻等卡脖子技術列入院裡的科研任務清單，同時國內一眾半導體巨頭也紛紛響應，為打破西方壟斷，幾乎壓上了舉國之力。

然而臺積電張忠謀卻潑來冷水，聲稱“光刻技術研發難度不亞於原子彈，就算中國全力投入，也未必能如期攻克”。張忠謀此話或許有私心，因為一旦突破了光刻技術，那就意味著國產科技企業完成了晶片自主，對臺積電的依賴性就沒有了。不可否認的是，光刻技術的確很難。

但中國是個奇蹟誕生地，21世紀以來，國內科學家、科技人員完成了無數次艱難的科研任務。光刻領域又怎能例外，何況國人們都翹首以待。

國內半導體巨頭正式宣佈

所謂十年磨一劍，中國科技雖然起步較晚，但也已經臥薪嚐膽了幾十年，並沒有像張忠謀以及外媒所想的那麼弱不禁風。

近日，國內巨頭中微半導體宣佈好訊息，已經開發出了足以媲美5nm光刻工藝的鐳射技術。

或許很多人還不知道EUV光刻機的工作原理，其實光刻機裝置就是利用光技術，在矽基晶片上按照設計好的整合線路進行雕刻，所謂的晶片成品率和光技術的精準度有著極大的關聯。

光波越短，就代表光刻刀鋒越精細，工藝也就越先進，從28nm、14nm、7nm、5nm等晶片工藝的一步步更新，實則是光源技術的逐步改進。

中微半導體此次掌握的全新5nm鐳射技術，能夠製作出整合線路上不可或缺的光掩模，此前光掩模的製造一直離不開ASML所使用的光源技術，中微半導體的鐳射技術可以達到同樣的效果，並且完全繞開了美國的限制。

中國是全球最大的晶片需求市場，一旦實現自主，國際晶片巨頭都將面臨不小的損失。此次中微半導體宣佈5nm鐳射技術的突破後就引起了巨大的反響。

首先就是ASML，繼進博會之後再次示好中國市場，其負責人表示：儘管目前受到美國出貨限制，但是ASML一直高度關注著中國市場，並且已經嘗試著製造、繞開美國技術的高階光刻機，期待儘快與中國達成長久的合作。

除了ASML之外，臺積電也作出了相應的決策，劉德音表示，將會持續加大國內市場的佈局。據悉，臺積電已經耗資500億，計劃在南京建立一條晶片生產線，加大與國產科技企業的聯絡。臺積電的意圖很明顯，就是為了避免在國內實現晶片自主後，自己被排除在市場之外。

寫在最後

美國的晶片禁令是把雙刃劍，雖然給華為等國產科技企業的發展帶來了不少的磨難，但卻激發了中國科技建立完整生態鏈的決心，出貨限制不僅讓美國自身承受了近11000億的損失，也加速了科技巨頭們“去美化”的步伐。

全球晶片行業或將迎來鉅變，畢竟3400億的中國市場，任何企業都不想失去合作的機會。