美國修改規則後，全球晶片行業遭遇重大難題，尤其是國內廠商，對美國晶片或者使用美國技術生產的晶片，也心懷芥蒂。

所以各大廠商都積極行動，紛紛降低對高通等晶片的依賴，更多地採用聯發科或者三星的晶片，保持兩個以上晶片供應商，降低風險。

最主要的是，國內廠商將希望寄託在中芯身上，因為在國內晶片製造廠商中，中芯的技術最為先進，不僅能夠量產14nm以上製程的晶片，還能量產N+1工藝的晶片。

據瞭解，中芯N+1工藝的晶片，與7nm工藝很相似。

與14nm工藝的晶片相比，N+1工藝晶片的效能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%，而業內7nm晶片提升在35%。

可以說，N+1工藝的晶片，完全可以看作是一款主打低功耗的7nm晶片。

除此之外，中芯梁孟松還表示，7nm晶片已經開發完成，2021年4月份就可以進行風險試產，5nm、3nm等最艱難的專案也已經展開，EUV光刻機到位後便可進入全面研發階段。

但誰也沒有想到的是，就在中芯技術快速發展之際，三個關於中芯的訊息傳來。

第一個訊息，梁孟松遞交辭職。

根據梁孟松釋出的宣告得知，其沒有得到應有的尊重，對於蔣尚義迴歸並出任副董事長，也是董事長在電話中告知。

要知道，梁孟松對於中芯至關重要，僅利用三年時間，其就完成了5世代的技術開發，讓中芯從28nm進入到7nm時代，一旦其離去，中芯或將損失嚴重。

第二個訊息，美國將中芯拉入所謂的“黑名單”。

據悉，美國方面已經發布資訊，禁止向中芯等提供相關裝置和原材料等，而中芯也迴應稱，這將對中芯10nm以下晶片的研發生產帶來了嚴重的影響。

都知道，很多晶片原材料都是來自美國，就像生產晶圓的純矽，美國生產的純矽純度可以達到小數點後11位，而國內生產的純矽，在純度方面與美國先比還是有一點差距的。

第三個訊息，EUV光刻機。

EUV光刻機是生產7nm以下晶片的必要裝置，雖然中芯也完成了7nm晶片的開發，將會在2021年4月份風險試產，但5nm、3nm製程晶片的開發，還是需要EUV光刻機。

但EUV光刻機目前僅有ASML研發生產，其也不能自由出貨，畢竟中芯全額訂購的EUV光刻機至今都沒有到貨。

可以說，這三個訊息突然出現在中芯面前，給中芯帶來了不小的問題，哪個問題都不能忽視。

不過，三個關於中芯的訊息傳來，也證明了華為任正非做對了。因為華為任正非不抱有幻想，要從教育、人才、原材料以及終端製造方面實現全面突破。

華為任正非走訪國內高校，其實就展開合作，培養更多專業晶片類人才，畢竟國內專業晶片人才還是比較缺失的。

另外，華為還啟動了晶片類博士招聘，並且是面向全球招聘，主要涉及晶片研發、封裝、測試等，可見，華為是在全球範圍內蒐羅晶片人才，有了人才，才能促進發展。

其次，華為要從原材料、終端製造等方面實現全面突破。

任正非發表了以《向上捅破天 向下扎到根》的主題演講，目的就是想徹底解決卡脖子問題。

因為無論是高階製造裝置還是基礎原材料，都必須要實現突破，否則就會被卡脖子。

這也華為宣佈全面進入晶片半導體領域內，不僅要研發新材料，還要突破終端製造的技術瓶頸的主要原因。

總結一下就是，有了人才，才能進入新材料、新技術、新裝置的研發和生產，掌握了原材料、技術和終端生產裝置，才能徹底不被卡脖子，所以才說華為任正非做對了。