在經濟全球化的今天，半導體領域分工越來越明顯，自英特爾之後，晶片的製造和設計基本就完全分開了。這樣的好處是，單一經濟體可以減少壓力，能在特定的行業快速發展，讓工藝更加先進。比如晶片設計方面，華為海思的麒麟9000晶片、高通的驍龍888、三星的Exynos，都是5nm級別，而代工方面有臺積電、聯發科等製造廠，同樣達到了匹配5nm晶片的工藝水平。
國內芯源的方向這樣的分工雖然優勢很明顯，但缺點是會造成嚴重的偏科現象，尤其是這兩年我們面對美國技術打壓的時候，華為旗下的海思雖然擁有最頂尖的晶片設計水平，但國內卻沒有相應的代工製造企業。一紙晶片禁令，我們便陷入了斷供“危機”。
晶片基礎製造的薄弱，一方面是由於我國在半導體領域起步較晚，另一方面是美國卡著荷蘭的ASML，限制出口給我們能量產5nm晶片的EUV光刻機。
為了打破壟斷，解決晶片危機，“國家隊”跑步入場，最高科研機構中科院宣佈將光刻核心技術列入科研清單，以解決芯源問題，同時完善中國基礎科技產業鏈。
然而臺積電創始人張忠謀卻潑來冷水，他表示：“即便舉國之力也難造出EUV光刻機，因為除了技術限制之外，光刻裝置還包含了多個國家最先進零配件，比如瑞士的數控機床、德國的蔡司光源，尤其是美國的EDA軟體，這些都是無法逾越的屏障。”
雖然有點長他人志氣滅自己威風，不過事實的確如此，不少專家都認為光刻裝置的自研難度不亞於原子彈。
中科院正式宣佈然而，最近中科院宣佈了一項新科研成果，讓那些不好看的專家和美國都始料未及。
這項技術突破預示著，我們繞開了美國擺下的光刻陷阱，以新型的半導體原材料，製造出能更好的碳基晶片，以解決國內的芯源問題。
值得強調的是，傳統的矽基晶片在5nm、3nm工藝水平層次已經逼近了物理極限，臺積電的試產資料顯示，工藝越精細，晶片的良品率就越低，甚至晶片上的積體電路穩定性也會崩壞。目前5nm良品率大概在90%，而3nm僅有70%，矽基晶片已無進一步挖掘的潛力了，非要繼續，只能是徒耗人力、物力。
面對這種情況，各國都在尋求新型半導體材料，以代替後矽時代頂到天花板的矽基晶片。此次中科院研發的石墨烯晶圓正是全球夢寐以求的新型材料。
寫在最後這是美國最不想看到的事情，本以為可以讓我們的科研方向逼到他們已經掌握的光刻機上，以拖緩我們的發展步伐。卻不想連番大棒下來，非但沒討到好處，還讓中國佔據了未來主流市場的先發地位。
據統計，近兩年我國的石墨烯年產值已超過300噸，在技術和體量都全球領先的前提下，相信隨著碳基晶片製造工藝的完善，成為碳時代的規則制定者，也並非沒有可能。