就在上週五，華為被媒體爆出來要去IGBT廠商裡挖人，自己搞（自主研發），全行業的眼球都湊了過來。

IGBT到底是什麼鬼？愛個變態嗎？（笑）

這東西的全稱是絕緣柵雙極型電晶體（Insulated Gate Bipolar Transistor），簡單的說是雙極型三極體（BTJ）+絕緣柵型場效電晶體（MOS）=IGBT。這是一種神奇的半導體元件，一般應用在不間斷電源UPS和變頻器上。

這段是否看蒙圈了，再直白一點這個IGBT有個響亮的外號——電子裝備的“CPU”，膩害不？但這東西還是非常有專業壁壘的，咱們國家能造出來的公司非常少（特別是高壓大功率IGBT）。可以說目前從需求端看全球功率半導體市場中國佔50%，而從供給端看能中國產替代少之又少。所以IGBT早早被納入了國家戰略新興產業。無論是軌道交通、新能源車、智慧電網等二級市場上熱起來的大部分板塊，都需要採購IGBT。因為本質上說那個上個世紀80年代起，IGBT的核心就是閘流體結構。40多年過去了IGBT的發展就是核心材料——矽片的發展。

目前，這種膩害的特殊矽片材料，具有較高的生產壁壘。其中區熔矽佔90%，碳化矽(SiC)佔10%，別小看這10%，正是前文中所提高壓大功率IGBT的核心材料。對於我們需求量大的這個區熔矽，其實生產壁壘很高。國內只有少數廠家如中環股份（002129）、有研新材（600269）以及中國電科46所（主要軍用，你懂的）可以生產。

區熔矽這個提法其實菠菜聽上去比較彆扭，還不如叫區熔法制備單晶矽。與之對應的是直拉法制備（中國第一個8寸單晶矽出自中環）。區熔其實就是不用石英坩堝改用電磁感應加熱多晶矽，讓單晶懸浮式生長（如下圖）。這樣的好處是出來的單晶矽純度高、含氧少、含碳量低，出來的單晶矽自然電阻率低壽命長，受到市場歡迎。

而在國內市場IGBT一旦產能擴大，自然會帶動上游矽片的需求量增加，特別是這個賽道並不擁擠。從下游看除了剛喊出口號的華為，比亞迪（002594）、中國中車（601766）、臺基股份（300046）都有涉及。但比亞迪乾的是碳化矽粉，整個弄上下游產業鏈菠菜認為沒個三、五年夠嗆。在IGBT領域臺基的優勢更明顯一些。不過，如果IGBT真不賺錢，比亞迪也不會傻到喊出讓其單獨上市的口號，足見現在是整體處於景氣週期內的行業。

還有個問題，中國生產的能否賣給外國客戶？

中環大的坩堝和拉晶裝置都需要靠更大規模的訂單來降低生產成本。你總不能指望一個爬坡階段的公司去搞百米衝刺，就是這個道理。但中國公司的優勢在市場能力，說白了，就是會做銷售。這點整個電子產業，日韓都比不上中國企業，這也算是一種軟實力，至少客戶都認這一套。還有最重要的一點，市場在中國，早晚技術和產品也在中國。

任何生產製造都需要降低生產成本，一方面需要技術提升，另一方面就是需求端刺激。技術提升不是一兩天的事，但刺激在現階段可以有。一個不缺錢的企業，才能鋌而走險去幹技術創新，這是電子行業的基本規律。作為中線投資邏輯，去投不缺錢的企業一定不會吃虧。

電子產業下游企業一定會花精力整合供應鏈，比如華為這次邁出IGBT這步，也是對岸逼的。菠菜希望這波中國產化的浪潮能在電子元器件行業中多帶動幾個龍頭，早日實現全部中國產替代。

注：本文不構成投資建議，股市有風險，投資需謹慎，沒有買賣就沒有傷害。本文一些資料和區熔晶部分參考了《申萬巨集源電新IGBT會議》內容。