近日，據外媒報道，長鑫儲存正式宣佈其成為了國內第一家也是唯一一家DRAM供應商。長鑫儲存2016年5月在安徽合肥啟動，專業從事DRAM記憶體的研發、生產和銷售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠並投產，並通過專用研發線快速迭代研發，結合當前先進裝置大幅度改進工藝，開發出了獨有的技術體系。長鑫記憶體自主製造專案總投資1500億元，將生產中國產第一代10nm工藝級8Gb DDR4記憶體晶片，並獲得了工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。

目前長鑫儲存國內唯一的競爭對手是清華紫光，它計劃於2021年在重慶建成研發中心和DRAM晶圓廠，距離量產還要3-5年時間。

DRAM為最常見的系統記憶體，在伺服器、計算機、手機及其他消費電子領域具有廣泛的應用，具有巨大的市場空間。2018年，中國DRAM行業市場規模達到3422.7億元，增長率達到35.5%。隨著5G時代的來臨，儲存的資料量將呈現指數級增長；同時，隨著雲端計算、大資料、人工智慧、物聯網等新興應用加速發展，未來市場對DRAM儲存器的需求量仍將保持較大的增長勢頭。預計至2021年，中國DRAM市場規模將達到4505.70億元。綜合來看，DRAM面臨良好的發展環境，整體市場前景廣闊。

伴隨記憶體介面晶片技術的不斷演進，記憶體介面晶片的總價值量正在不斷提升。記憶體模組需求隨技術迭代增加，隨著半導體制程推進，硬體與軟體都在渴求更大的記憶體。經過多年的發展，記憶體從SDR系列到DDR系列，記憶體速度和容量都以指數增長，目前DDR4系列的商業化最為廣泛，新一代DDR5正逐步進入市場。

在未來，DDR5規格也將到來，2018年10月，Cadence和鎂光公佈了自己的DDR5記憶體研發進度，兩家廠商已經開始研發16GBDDR5產品，並計劃在2019年底實現量產目標。DDR5的主要特性是晶片容量，而不僅僅是更高的效能和更低的功耗。DDR5預計將帶來4266至6400 MT / s的I / O速度，電源電壓降至1.1 V。與DDR4相比，改進的DDR5功能將使實際頻寬提高36％，即使在3200 MT / s和4800 MT / s速度開始，與DDR4-3200相比，實際頻寬將高出87％。與此同時，DDR5最重要的特性之一將是超過16 GB的單片晶片密度。