II-VI表示，5G無線服務的加速部署，正在推動5G無線供應鏈生態系統的深層次戰略合作，以滿足不斷增長的市場需求。這份新的供貨協議基於II-VI作為4G和5G市場SiC襯底全球供應商的深厚基礎。

II-VI寬頻隙半導體業務副QuattroporteGary Ruland博士表示：“從千兆赫茲到毫米波段的5G工作頻率範圍，GaN-on-SiC射頻功率放大器都比基於GaN-on-silicon的器件具有更卓越的效能。憑藉我們在更大襯底和更高品質方面的技術推動歷史，客戶選擇與II-VI建立了戰略合作伙伴關係。此外，II-VI最近釋出了全球首款半絕緣200 mm SiC襯底，這將使我們的客戶能夠面向未來擴大生產規模。”

II-VI利用30多項有效專利的智慧財產權組合，採用晶體生長、襯底製造和拋光等專有技術開發SiC襯底。II-VI還通過構建垂直整合的150 mm GaN-on-SiC HEMT器件製造平臺，擴充套件其驅動5G射頻（RF）路線圖的能力。除了SiC襯底之外，II-VI還為無線光學接入基礎設施提供了一系列波長管理解決方案和收發器。II-VI表示，公司能夠提供廣泛的材料、裝置、元件和子系統，以支援即將到來的大規模5G應用。