晶片製造有三大核心環節：薄膜沉積、光刻與刻蝕。其中，光刻環節成本最高，其次便是刻蝕環節。光刻是將電路圖畫在晶圓之上，刻蝕則是沿著這一圖案進行雕刻。這一過程中，會用到的裝置便是刻蝕機。

相較於中國在光刻機領域的巨大短板，在刻蝕機領域，在以中微半導體為首的刻蝕機巨頭的帶領下，中國刻蝕機已經達到了世界領先水平。

從65nm到5nm

中微半導體成立於2004年，由刻蝕機行業風雲人物尹志堯一手建立。尹志堯是矽谷最有成就的華人之一，曾在英特爾、LAM研究所、應用材料等企業供職，在半導體領域有著20餘年的經驗。

在他60歲，尹志堯放棄百萬美元年薪，頂著美國重重壓力，帶著三十餘人精英團隊回國，並建立了中微半導體。

中微半導體成長十分迅速，11年的時間，便從65nm來到了5nm。

2019年末，中微半導體的5nm刻蝕機獲得臺積電認可，成功用在其生產線上。這標誌著，中國刻蝕機已經達到業界先進水平。

隨著中微半導體產能的逐漸提升，以及在國產替代大潮的推動下，中微半導體將在刻蝕機領域佔據更多的份額。

而且，尹志堯在第二屆中國芯創年會上表示，中國裝置公司必須進入國際市場。這意味著，中微半導體還將衝擊海外市場。

無懼美方的打壓

中微半導體的發展引起了美方的警惕，因此，日前中微半導體被美國國防部列入“中國涉軍企業名單”。此前，中芯國際也遭受了這一待遇。

對此，1月15日中微公司迴應稱，這一情況對公司生產經營沒有實質影響，公司目前進出口業務情況一切正常。

中國半導體產業起步晚，國產化率較低，在刻蝕機領域也是如此。

刻蝕機制造難度雖較光刻低，但半導體工藝製程微小且複雜，而且半導體工藝製程的不斷進化與結構設計更新，都給刻蝕機的製造帶來了不小的挑戰。

如今，泛林半導體、應用材料、東京電子是全球前三大刻蝕機巨頭，佔據了半導體刻蝕機領域94%的市場。而中國企業的佔比仍是十分有限。

但在中微半導體、北方華創等企業的快速崛起下，國產刻蝕機已經迎來曙光。相信，國產刻蝕機不久後也能在國際市場上大放異彩，令人期待。