美國政府持續以 “國家安全” 為由，試圖限制供應商出貨給華為，最後防線當然是臺積電。目前具體的新禁令，或者應該說究竟有無擴大禁令範圍之實，特朗普政府並沒有具體政策的宣佈，但華為內部已開始進行一連串預防準備動作。

業內人士指出，近期華為海思擴大分散晶片製造來源，不斷增加對中芯國際的 14nm 和 N+1 製程技術的新流片 New Tape-out（NTP）數量，包含華為手機中的核心麒麟 Kirin 晶片，也首度在中芯國際進行 NTP。

華為主要是擔心美國擴大禁令後，會面臨業務連續性的風險，因此急著找中芯國際“買保險”。

不過，若是特朗普政府限制外企使用美國的裝置替華為生產製造晶片，那不單是臺積電不能為華為代工，中芯國際、華虹半導體也無法置身事外。

但這是最壞的推測，業界多數認為，中美雙方關係不至於走到這一步，否則等同全面宣戰。美國若這樣做，是 “傷敵七分、自損三分”，而美國企業受到的重創絕對不止“三分” 而已。

根據外媒報道，美國計劃在 2 月 28 日召開高層級會議，預計將齊聚美國商務部、國防部、國務院等重要部門的領導，擬定對中國和華為的方針，而是否加大對華為的禁令限制，成為科技業界關注的焦點。

根據市場推測的方向，是朝美國技術含量比例的標準下手，例如從美國技術含量 25%，修改為只要 10% 就不能為華為代工，步步為難臺積電為華為代工的“合法性”。

另一個推測是朝裝置商下手，將限制外企使用美國的裝置替華為生產製造晶片。

半導體大廠高層分析，依目前情勢來看，美國確實是會朝緊縮華為的方向前進，只是時間和步驟的問題而已。

特朗普釋放的資訊也是飄忽不定，日前因為行政團隊準備對中國禁售 GE 的飛機發動機，導致特朗普在推特發文指出，“國家安全”使用太過頻繁，會限制美國企業與中國做生意的能力。

這樣的“發言”，也被解讀為特朗普罕見地公開指責對中國採取強硬態度的鷹派，更暴露其行政團隊中，鷹派與鴿派長期以來的激烈鬥爭。

無論如何，美國 “劍指” 華為的方向，看來是不會轉向，只是如何一步步壓縮其生存空間，或是從而獲得更多的談判籌碼。然而過程中，所有供應商都跟著承受凌遲之苦。

怕“斷供”，華為的兩個預防動作

隨著特朗普政府試圖 “斷供” 華為一步步逼近，在最終底牌掀開前，華為也不斷做足預防準備，目前朝兩個方向做預防動作：

第一：華為加速將在臺積電生產的晶片，儘量轉到南京 12 寸廠生產。

臺積電南京 12 寸廠的最先進製程技術為 16nm/12nm，目前都被華為訂單塞滿，除了最高階製程技術 7nm 仍在臺積電臺灣的 12 寸廠生產製造外，能移到南京廠的訂單，都已經儘量轉過來。

臺積電南京 12 寸場廠經歷這一波新冠肺炎的衝擊，並未停工或影響運營。

據了解，疫情最緊張的農曆春節期間，臺積電南京總經理羅鎮球更是一路親自坐鎮南京，確保南京廠的運營和排程順利。

南京廠是在 2016 年 3 月臺積電與南京市政府正式簽約，2016 年 7 月動土，2017 年 9 月舉行進機典禮，在 2018 年 10 月 31 日正式開幕量產。

該廠房目前單月產能約 1.5 萬片，由於產能爆滿，持續朝單月 2 萬片擴產的計劃邁進推動，且該廠房在 2019 年第三季已經轉虧為盈，進入獲利。

第二：華為著手擴大在中芯國際的新產品 NTP 數量和種類，尤其是在高階技術 14nm 和 N+1 兩個製程世代上，以分散生產製造的風險。

華為近期不斷追加對中芯國際 14nm 和 N+1 技術的 NTP，甚至是手機麒麟晶片也將首次匯入中芯的 N+1 製程技術，另外還有 WiFi 通訊晶片、高速傳輸晶片等，也都陸續轉到中芯，執行分散分險的預防動作。

不過，華為分散供應商的舉動倒不一定只是擔心美國終究會施壓於臺積電，逼其 “斷供” 華為，這點可以再從三個方面來思考：

第一，華為海思一直有 “協助” 中芯國際在高階製程技術上，研發和生產的“義務”，這是一直以來的“業界傳統”。

只是，這次美國施以的斷供壓力，配合中芯國際在高階技術的研發能量 “火勢” 正猛，藉此機會讓整個高階技術的時程能更積極。

第二，臺積電多數大客戶仍是以美系客戶為主，包括蘋果、高通、AMD、Nvidia、賽靈思等，華為擔心臺積電終究要顧及美系客戶的立場與利益，或是被迫要選邊站，因此華為要先為自己打算，也是可以理解的。

第三，這是最壞的狀況。若是特朗普政府真的朝修改 “外國直接產品規定” 的方向走下去，限制外企使用美國裝置來為華為製造晶片，那不單是臺積電，所有的晶圓代工廠都會受到波及，中芯國際、華虹半導體也無法置身事外，但這相當於全面宣戰，發生的可能性極低。

如果最壞的第三個狀況發生，華為也做不了什麼，但在此之前，所有的準備動作都要做到做足，也反映華為的企業文化長久以來對於風險管控的高度重視性。

如果特朗普政府限制美國裝置用來為華為生產晶片，那會變成什麼局面？

那會形成，只要是採用美國半導體裝置的企業，在替華為生產和供應產品前，都需要先獲得美國的許可證。

目前全球主要裝置商以美商為主，包括應用材料（Applied Materials）、科林研發（Lam Research）、科磊（KLA-Tencor）等，雖然國內有部分進口替代機臺如中微半導體的刻蝕機臺，但沒有一條量產生產線可以完全避免美商機臺裝置。

即使是光刻機大廠 ASML 是荷蘭企業，但日前中芯國際下單的那一臺極紫外線 EUV 機臺，仍是礙於“美方顧慮”，遲遲未能正式出貨。

中芯國際則表示，N+1 和 N+2 製程都不需要用到 EUV 光刻機，會等到裝置就緒後，才會在 N+2 匯入 EUV 光刻技術，已經儘量讓 EUV 機臺無法進入研發的衝擊性降到最低。

中芯國際在日前投資人會議上，也對外說明第一、二代 FinFET 製程 14nm 和 N+1 的進度。

中芯國際 14nm 已開始小量產出，但 真正營收和產能放量會是在 2020 年底。到今年年底，14nm 製程的產能將從 3000 片擴大到 15000 片。

在第二代 FinFET 製程 N+1 在 2019 年第四季進入 NTO（New Tape-out）階段，目前正處於客戶產品認證期，預計 2020 年第四季可以看到小量產出。

業界一般認為， N+1 約是 7nm 或 8nm 製程，因此會把中芯的 N+1 製程與臺積電的 7nm 相較。

中芯國際則表示， N+1 與 7nm 製程十分接近，唯一不同是 N+1 的效能還追不上 7nm。不過，N+1 若與中芯自己的 14nm 相較，效能增加 20%、功耗減少 57%、邏輯面積減少 63%、SoC 面積減少 55%。

再者，如果美國真的出手緊縮對華為的禁令限制，那手機市場的受益者會是 Oppo、Vivo、小米，以及海外市場的三星，屆時華為、臺積電、所有供應鏈將如何因應，將會是一個非常頭痛的難題。