華為不止一次聊臺積電，前段時間被三星咬得很緊，雖然7nm工藝去年已經量產，7nm+首次引入EUV極紫外光刻技術，目前已經投入量產。但三星也有同樣的工藝，而且技術也是相當成熟。

而最近臺積電傳來喜訊，可以鬆一口氣了。臺積電宣佈已經啟動2nm工藝研發，預計四年後問世，可以把三星甩開幾條街了。

6nm只是7nm的一個升級版，明年第一季度試產。

5nm全面匯入EUV極紫外光刻，已經開始風險性試產，明年底之前量產，海思麒麟、蘋果A14、AMD五代銳龍(Zen 4都有望採納)，之後還有個增強版的N5P工藝。

3nm有望在2021年試產、2022年量產。

在3nm之後就要進入2nm工藝了，實際上臺積電今年6月份就宣佈研發2nm工藝了，工廠設定在位於臺灣新竹的南方科技園，預計2024年投入生產。

按照臺積電給出的指標，2nm工藝是一個重要節點，Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x，同時Gate Pitch(電晶體柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm，相比於3nm都小了23％。

不過，臺積電沒有透露2nm工藝所需要的技術和材料，效能、功耗等指標更是無從談起。

聽到這一系列訊息，華叔也十分興奮，起碼我們的手機晶片功耗、效能將會再上一個臺階。

那到底現在的奈米層級最多極限到多少？

碳奈米管可以將半導體工藝推進到1.2nm尺度，最終可以達到0.1nm尺度，這相當於氫原子的大小級別了。

現在的製程定義不能再反應真正的科技水平了，氫原子級別的微縮才是創新，而且很多創新都是不可預見的。

之前華叔都說過，晶片每10年一次革命，製程節點已經變成了一種營銷遊戲，與科技本身的特性沒什麼關係了。所以，微米級別將是下一次革命。

事實上，臺積電包攬了全球90%的5G晶片訂單一點都不為過。現在全球60%以上的晶片代工訂單其實都被臺積電拿在手上。

剛釋出的Mate 30系列上推出的麒麟990處理器，基於臺積電7nm+EUV（極紫外光刻工藝）工藝，這也是臺積電首次生產EUV光刻技術，並集合5G基帶的移動SOC。採用光來蝕刻矽晶片上的電晶體，這技術可讓電晶體的位置更精確，同時晶片上的電晶體密度可增加20%，使單位面積的晶片效能更強大、能耗更低。

還有蘋果A13處理器，A13晶片與麒麟990一樣，同樣採用臺積電的第二代7nm工藝（EUV光刻技術）。蘋果計劃在A13晶片中加入新元件，包括用於撥打電話和連線網際網路的蜂窩調變解調器，以及基於最近與Dialog Semiconductor Plc達成協議的電源元件。

明年，華為Mate 40將率先搭載麒麟1000晶片，該晶片基於臺積電5nm工藝製程打造，麒麟990 5G集成了高達103億個電晶體，如果麒麟1000每平方毫米可能有多達1.713億個電晶體。

另外，麒麟1000可能會採用Cortex A77架構，效能表現值得期待。

除了臺積電和三星，國內的半導體企業也在迅速發展，日本半導體生產裝置企業已經開始“轉向中國”。在中國，裝置投資額達到 1 萬億日元（1 日元約合 0.009 美元）規模的半導體工廠的建設計劃相繼浮出水面。

對於銷售生產裝置的企業來說，中國是有潛力的市場。希望未來我們也有自己製造晶片的公司，避免被國外掐脖子的情況發生。

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