近日，鎧俠（Kioxia）和西數（Western Digital）宣佈，雙方已經合作開發了第六代162層3D快閃記憶體技術。新聞稿指出，這是兩家公司迄今為止最高密度和最先進的3D快閃記憶體技術。

△ 鎧俠官網截圖

官網訊息顯示，第六代3D快閃記憶體具有超越傳統的先進架構，與第五代技術相比，橫向單元陣列密度提高了10%。與112層堆疊技術相比，這種橫向縮放的進步與162層堆疊的垂直儲存器相結合，使晶片尺寸減小了40％，優化了成本。

同時，鎧俠和西數團隊還採用了陣列CMOS電路佈局和四路同時操作，與上一代產品相比，這兩種技術的應用使效能提高了近2.4倍，讀取延遲提高了10％。I/O效能也提高了66％，從而使下一代介面能夠滿足對更快的傳輸速率不斷增長的需求。

總體而言，與上一代產品相比，新的3D NAND降低了每單位的成本，並使每個晶圓的儲存數量增加了70％。