晶片是中國的痛，在晶片設計方面，我們經過幾十年的奮鬥，已經逐漸跟上國際水平。，如今在國際上3奈米晶片已經可以量產，而華為也在3奈米晶片上有了突破性進展，但是晶片的設計是一個問題，而晶片製造同樣也是一個問題。

中國大陸最成功的晶片製造企業就是中芯國際，如今中芯國際已經能夠量產14奈米晶片，7奈米晶片製造技術已經突破，不久之後就能進入風險量產的階段。但是，總的來說，晶片製造技術還是趕不上設計進步速度。

所以長期以來，華為都得找臺積電代工。，不過，就在去年，臺積電迫於美國壓力，最終停止為臺積電代工，也就意味著華為可能無芯可用。，這不僅限制了華為的晶片設計，對華為的各項業務也是一個巨大的打擊。

晶片製造直接限制了我國半導體行業的發展，而阻礙我國晶片製造進步的技術，就是光刻機。任正非曾經說過，華為海思可以設計出全球最頂尖的晶片，但是國內卻沒有相應的製造技術。如今，世界上最先進的光刻機就是，掌握在荷蘭ASML公司手上的EUV光刻機，但是這並不是一家公司的成果，而是集合了歐美幾家公司一起的研製成果，可見光刻機的技術難度。

它算得上如今高科技產業，最先進的一項技術之一了。ASML公司光刻機的售價也極為昂貴，一臺7奈米的EUV光刻機，售價就高達1.2億美元。而臺積電和三星，之所以能夠製造最先進的晶片，同樣需要從ASML公司購買。

然而，光刻機不是你想買就能買到的，因為世界上只有ASML有最先進的光刻機，相當於壟斷。因此想買還需要看它的臉色。而且ASML的產量也有限，最近半年時間，三星和臺積電就已經圍繞著光刻機，進行著一場又一場的博弈。

臺積電和三星一直是最大的競爭對手，曾經的臺積電超過三星，隨後又被三星反超，再之後又再次反超回來，如今在5奈米晶片領域，依舊是臺積電稍勝一籌，但是三星也一直沒有放棄。

在2020年5月，臺積電就宣佈在美國斥資120億美元，新建5奈米晶圓廠，並在2023年實現量產。而三星也同時宣佈，要花100億美元在美國建工廠，並且打算以3納米制程切入。臺積電當然也不甘落後，而兩者之間的戰爭，最重要的就是EUV光刻機，因此，搶到光刻機就能在3奈米上先行一步。

兩家公司先後開出重金訂購，先是臺積電花數百億美元高價購買，而後又是三星掌門人李在鎔親赴荷蘭，洽談採購光刻機的相關事宜，這場激烈的競爭直到今天還沒有結束。

光刻機重要性不言而喻，但是我國即便是想買光刻機都買不到。一方面是ASML產能有限，另外一方面是因為美國的制裁，除了不願意賣之外，還有國內的廠家也不好買。需要生產最先進晶片的只有華為，華為或許吃不下這麼多的產能，而華為自己在晶片製造方面不是強項，買了沒用，在美國的制裁下也根本買不到。以至於到如今，我國的晶片設計和製造的陷入死衚衕。

現在，想要讓中國的半導體行業更進一步，突破光刻機的封鎖至關重要。那麼我們還需要多久能趕上EUV的光刻機呢？在我看來，時間或許會比大家想象中的短。

如今，中國的製造業飛速發展，科技進步全球有目共睹，曾經被髮達國家封鎖的大推力航空發動機，我們僅僅用30年的時間就研製成功。目前只有美，日，德，法，中，能夠自主設計和生產大推力發動機。

光刻機的研發難度比航空發動機高，畢竟光零件就有十多萬個。但是，我國的實力還是毋庸置疑的。中國研製光刻機算起來近50年的歷史，國際上60年代早期，已經成功研製出第一臺光刻機，而中國科學院並沒有晚多少，在1965年就成功研製出65型接觸式光刻機。

1980年，清華大學研製出的分散式投影光刻機，精度達到3微米，已經接近國際主流水平。1985年，中國第一臺分佈投影式光刻機研製成功，此時與國際水平差距不超過7年。可惜，中國光刻機技術卻在那之後停滯不前，中國有了造不如買的想法，眾多光刻機計劃被取消，這也是我國為何如今落後國際的原因。

一直到2000年之後，光刻機技術再次被重視起來。2002年，上海微電子裝備公司成立，之前的光刻機專案重新被撿了起來，雖然被外國技術封鎖，雖然已經停止20多年，但是中國的實力還在。

2008年，我國已經開始將EUV光刻機作為目標。2015年，北京華卓精科科技公司，已經有了65奈米光刻機的雙工作臺技術。2016年，上海微電子已經能夠量產90奈米光刻機。而到了2017年，在中國科學院牽頭研發成功極紫外光刻關鍵技術。

對整臺光刻機而言，最核心的部件就是極紫外光源，光學鏡頭，以及雙工作臺。而如今，中國已經掌握雙工作臺技術，以及極紫外光源技術。尤其是奈米級雙工作臺技術，原來全世界只有ASML有，而如今中國成為世界第二個，擁有這項技術的國家。

2018年，中科院研製成功超分辨光刻裝備，光刻解析度達到22奈米。不久之前，上海微電子企業，還成功研發出22奈米工藝的光刻機，再一次完成突破。雖然如今，我國光刻機技術，依舊落後於ASML公司，差距甚大有10年以上，但是我們的追趕速度依舊不容小覷。國家計劃在2030年，做出屬於中國的EUV光刻機，我認為這很有可能實現。

此外，我國還研究出可能彎道超車的技術，可能能夠直接繞過光刻機。浙江西湖高等研究院，研製出“冰刻機”，這種冰刻技術需要在-140度真空環境下進行，透過水蒸氣結冰，在晶體上形成冰膜，透過電子束在冰膜上雕刻，形成三維積體電路的結構。目前已經能夠做到微奈米級雕刻，完全可以媲美光刻機。而且冰刻機還能運用物理溫度轉變的技術，實現更高精度的晶片製造，未來有可能靠著冰刻技術，實現晶片製造的彎道超車。突破美國封鎖的日子，已經不會太過遙遠。