眾所周知，三星電子在NAND快閃記憶體晶片市場上一直保持領先地位，佔有30％以上的份額。但是，由於競爭對手開始表現出更好的工藝，它們似乎在挑戰三星的技術能力。

NAND快閃記憶體是一種非易失性儲存技術，不需要電源即可保留資料。隨著用於資料中心的IT裝置和伺服器需要更大的儲存容量，儘可能多地堆疊薄層已成為NAND快閃記憶體晶片製造商的首要任務。

三星尚未公佈其最新的NAND堆疊技術，該技術超越了其當前的128層晶片，而競爭對手如SK hynix，美光（Micron）和Kioxia都在爭相展示前沿設計。這促使分析人士認為，儲存晶片巨頭可能正在失去其技術優勢。去年11月，美國晶片製造商美光宣佈開發出業界首款176層NAND快閃記憶體晶片。SK Hynix隨後在12月釋出了自己的176層晶片。

日本的Kioxia最近還宣佈，它與Western Digital一起成功開發了162層3D NAND。他們說，新產品比以前的112層技術小40％，可以提供更高的密度和更低的讀取延遲。

Objective Analysis的半導體行業分析師Jim Handy表示，三星在NAND快閃記憶體行業的領導地位不會很快改變，但他同意三星在堆疊更多層方面正在失去競爭力。“是的，三星落後於競爭對手。這並不是三星首次落後於NAND快閃記憶體競爭。我記得2012年，三星採用27奈米工藝的最不先進工藝，而其他所有人都在採用24奈米工藝或25奈米零件。”該分析師告訴《韓國時報》。

當被問及三星為什麼尚未宣佈其新的NAND快閃記憶體具有比162或176層更高的堆疊數量時，Handy指出，該公司過於依賴單平臺技術，而其競爭對手將堆疊分為兩層。

據我所知，擁有更高的堆疊是增加儲存容量的最有效方法。三星一直在尋求一條更艱難的道路。三星透過使用單層方法增加了層數，而其他公司則遷移到了兩層。從理論上講，單個平臺的生產成本應該較低，但是開發時間會更長，這似乎就是三星落後的原因。”

三星預計，隨著更多智慧手機的銷售，今年對NAND晶片的需求將會增加，而長期的社會疏離措施也將推動膝上型電腦等IT裝置的銷售。為了滿足伺服器需求，今年資料中心還將越來越多地訂購NAND晶片。

為了更好地與競爭對手競爭，三星公司還準備採用雙層方法推出第七代V-NAND，該公司首席財務官崔允浩說。

“為了向您提供有關NAND的更新，我們的單堆疊第六代V-NAND已經完成了產能提升。今年，我們將擴大生產。在下一代產品中，第七代V -NAND，我們計劃首次採用雙堆疊，”崔在一月份告訴投資者。“這將為我們提供行業中最小的堆疊高度的優勢。最重要的是，透過使用我們積累的單層堆疊技術知識，我們期望即使在多層堆疊的情況下也能保持出色的成本競爭力在第七代V-NAND上。”

儘管該公司有遠見，但分析師表示，新方法能否使三星看到明顯更好的結果還有待觀察。

“開發單層裝置比較困難，這減慢了三星的發展速度。三星表示將為其第七代V-NAND使用兩層方法。由於三星尚未生產兩層裝置，因此，甲板上的NAND，它必須學習如何做其競爭對手已經非常瞭解的事情。”

但是他並沒有改變他對三星將繼續領導NAND市場的看法。“三星正在保持其市場份額的領先地位。這是該公司的主要重點，因此我認為這不會改變。在技術上，三星有時會領先，有時還會跟隨。如今，該公司的NAND技術落後於某些競爭對手，分析師說。

分析師表示，毫無疑問，三星將保持其在NAND快閃記憶體業務中的領先地位，但從長遠來看，對韓國公司最大的威脅可能是中國製造商長江儲存。

YMTC去年宣佈開發128層3D NAND，從而在儲存晶片行業大放異彩。該公司並未正式宣佈它有能力批次生產該產品，但是128層NAND的成功開發可能會增加其在該行業的佔有率。

這位分析師表示，在中國管理者努力使中國成為晶片行業領導者之一的支援下，YMTC有望實現穩定增長。

他說：“三星在NAND快閃記憶體中最大的長期威脅是中國的YMTC。YMTC擁有令人難以置信的資本來籌集新的生產設施。” “只要該公司學習如何大量生產NAND快閃記憶體，它就會透過搶佔其他NAND快閃記憶體製造商的市場份額而迅速增長。當這種情況發生時，我相信三星可能會失去其排名第一的地位。”