集微網訊息（文/Oliver），三星電子在10月7日宣佈，已率先在業內開發出12層3D-TSV（矽穿孔）技術。該技術在保持晶片尺寸的同時增加了記憶體容量。

據介紹，該技術垂直堆疊了12個DRAM晶片，它們通過60000個TSV孔互連，每一層的厚度僅有頭髮絲的1/20。三星表示，這是目前最精確和最具挑戰性的半導體封裝技術。

三星補充道：“利用這項新技術，可以堆疊12個DRAM晶片，同時保持與現有8層HBM2產品相同的封裝厚度，即720μm。這對客戶來說意味著即使系統設計沒有任何變化，也可以生成高容量和高效能的產品。”

三星還透露，基於12層3D TSV技術的HBM儲存晶片將很快量產，單片容量從目前的8GB來到24GB。

“最新的封裝技術在AI、自動駕駛和HPC（高效能運算）等領域變得越來越重要，”三星電子DS部門副QuattroporteBaek Hong-joo說道。“我們將通過12層3D-TSV技術在半導體封裝領域保持領先地位。”

（校對/holly）