三星已經開發出業界第一個用於DRAM產品的12層3D封裝。該技術使用直通矽通孔（TSV）來建立大容量HBM儲存裝置，用於受益於高儲存頻寬和容量的應用，例如高階圖形，FPGA和計算卡。

三星的12層DRAM KGSD將具有60,000個TSV孔，這就是製造商認為其技術是批量生產中最具挑戰性的封裝之一的原因。儘管將層數從八層增加到了十二層，但封裝的厚度仍將保持在720微米，因此三星的合作伙伴將不必為使用新技術而有任何改變。這確實意味著我們看到DRAM層越來越薄，高階產品的合格率也可以接受。

三星公司的24 GB HBM2 KGSD將是首批使用12層DRAM封裝技術的產品，將在短期內批量生產。這些裝置將允許CPU，GPU和FPGA的開發人員在使用2048位或4096位匯流排的情況下安裝48 GB或96 GB的記憶體。