9月初，在上海中國國際半導體博覽會舉行前夕，紫光集團旗下的長江儲存宣佈開始量產基於Xtacking架構的64層256GB TLC 3D NAND快閃記憶體 ，而這也是中國首次實現64層3D NADA快閃記憶體晶片的量產。產品將應用於固態硬碟、嵌入式儲存等主流市場應用。

在NAND Flash市場中，三星、東芝、鎂光、SK海力士、西部資料、英特爾這六家企業長期壟斷著全球99%以上的份額。據編者了解，在今年的第一季度，全球市場佔有率前二的三星和東芝甚至合計佔領超過50%的NAND Flash市場份額。而縱觀整個NAND Flash市場，已經有很長一段時間沒有出現過新的玩家，特別是進入3D NAND時代後，技術門檻的提高讓許多NAND Flash晶片的後來者望而卻步。

作為後來者的長江儲存，其實早在2018年，就已經量產了32層3D NAND快閃記憶體晶片。然而在2018年，各家的64層、72層3D NAND快閃記憶體已經是主打產品，早已全面鋪貨，落後一代的差距使得當時長江儲存並沒有引起業界關注。

而去年的快閃記憶體暴跌，各大廠商延緩了96層3D NAND的擴產計劃，從而導致了3D NAND的技術升級進展放緩。儘管目前，96層3D NAND已經有部分廠商開始批量出貨，但市場上產品並不多，暫時還是由64層3D NAND晶片佔據主流市場。因此，這就給長江儲存帶來了一次絕佳的趕超機會。

在NAND快閃記憶體市場，技術創新才是第一生產力，各家快閃記憶體生產商都在比拼著儲存顆粒的單位容量密度和I/O讀寫速度。據編者了解，長江儲存本次量產的64層3D NAND採用了自主研發的Xtacking的堆疊架構，不同於其他市面上的NAND快閃記憶體產品，它可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和儲存單元，從而大幅提高儲存密度。而在I/O速度方面，官方宣稱Xtacking技術能夠大幅提升NAND I/O速度到3Gbps，而三星在去年7月宣佈量產的第五代64層V-NAND 3D堆疊快閃記憶體I/O速度僅為1.4Gbps。

但截至目前為止，長江儲存並沒有公開具體產品的I/O速度，也沒有實際產品在市面上釋出，所以，這個資料還有待商榷。參考當年轟動一時的英特爾3D XPoint技術，官方說法為"效能和可靠性是普通快閃記憶體的1000倍，容量密度是記憶體的10倍"。然而，在後來的實測中，證實理論值與實際值相差甚遠。

值得一提的是，今年7月，三星已經量產第六代136層V-NAND 3D堆疊快閃記憶體，對比之下，三星領先的幅度可想而知。

況且，與DRAM市場不同，儘管六大廠商佔據99%以上的份額，但儲存晶片市場的競爭一向十分激烈。即使近年快閃記憶體價格暴跌，市場遇冷，頭部廠商們仍然不遺餘力地致力於新技術的推進。三星為了進一步鞏固其領先的優勢，在今年已經宣佈投資70億美元在西安設廠，並在研發方面還將加大投入;SK海力士也宣佈投資約1.22萬億韓元用於加強合作伙伴公司和半導體生態系統的關係。

因此，長江儲存目前面臨的處境依然很嚴峻，畢竟相比其他廠商，長江儲存目前還是處於"只出不入"的階段。再加上目前快閃記憶體市場還處於低迷的狀態，在64層3D NAND快閃記憶體晶片量產後，長江儲存當務之急便是如何儘快取得市場份額。

不過，據業內人士透露，長江儲存最快明年將跳過96層直接進入128層3D NAND快閃記憶體的生產，這將有望接近甚至追趕上國際先進水平。屆時，也許才是中國產儲存晶片能夠真正跟國際大廠一決高下的時刻。