2019上半年部分原廠紛紛宣佈減產，下半年NAND Flash價格明顯止跌，然近期原廠三星、鎧俠電子、西部資料、美光、SK海力士等再次掀起產能競賽，近3年內將有7座新工廠投入運營，NAND Flash產業發展是否會再添變數？

01 鎧俠電子巖手縣新工廠，將在2020上半年投產

日媒報道稱，鎧俠電子（KIOXIA，前東芝儲存器）於10日在巖手縣北上市的新工廠舉行了安全祈禱會，新建的K1工廠計劃於2020年上半年開始生產。這是繼日本四日市工廠基地之後，鎧俠電子在日本的第二個生產基地。

鎧俠電子巖手縣新工廠

據悉，鎧俠電子位於巖手縣北上市的新工廠於2018年7月舉行奠基儀式，初期建設投資70億日元，佔地面積約為150,000平方米，大樓是具有地震隔離結構的五層鋼框架，同時也正在考慮擴建。按照原計劃工廠建設將於2019年底完成。鎧俠電子的合作伙伴西部資料也參與了該工廠的投資。

鎧俠電子北上市新工廠將通過人工智慧（AI）系統來提高產生3D NAND的生產率，所生產的3D NAND將被用於資料中心、自動駕駛汽車、智慧型手機市場所需。

02 鎧俠電子四日市Fab7工廠，將在2020年開建

據日刊工業新聞曾報導，鎧俠電子決定投資3000億日圓，將於2020年底在四日市工廠內興建Fab 7工廠，將用於投入生產最新的3D NAND，該新工廠也是由鎧俠電子和西部資料合資建設，根據以往的建廠進度，該工廠將可能在2022年投入生產。

日本四日市是鎧俠電子生產NAND Flash的重要基地，目前已投入NAND Flash生產的工廠包括Fab2、Fab3、Fab4、Fab5、Fab6（一期、二期），再加上在2020年將新建的Fab7工廠，鎧俠電子未來在四日市已知的將擁有7座生產工廠，而鎧俠電子將在巖手縣新建的K1工廠將是第8座工廠。

03 三星西安二期、平澤二期新工廠將在2020年投產

日前，有訊息稱三星西安二期、平澤二期新工廠計劃在2020上半年開始投產，其中三星在中國西安分兩期工廠，一期工廠於2013年建設，2014年第一代V-NAND量產，用於生產先進的3D NAND。2018年三星總投資70億美元新建二期專案，根據建廠進度，該工廠預計在2019年底建設完工。

三星西安二期工廠已安裝部分裝置並開始試執行，以檢查量產前的情況，預計將在2020年2月開始批量生產。三星位於平澤工廠的二期工廠也基本完成建設，正在進行少量的裝置投資，預計將在2020年第一季度進行裝置安裝後投產，根據其3D技術發展，將可能量產其最新的128層3D NAND。

04 美光新加坡Fab 10A新工廠已投入運營

2019年8月，美光新加坡Fab 10A新工廠完成，並從2019下半年開始生產。新Fab 10A工廠是從2018年開始新建，主要用於生產3D NAND。美光在新加坡還有Fab 10N、Fab 10X兩座3D NAND工廠。

美光曾表示，新加坡廠區將視市場需求調整資本支出及產能規劃，預計不會增加額外的晶圓產能產出。所以，美光Fab10A新廠初期主要是以擴建無塵室空間為主，增強工廠生產的彈性空間，助於3D NAND技術過渡，暫時不會對NAND Flash市場供應產生很大的影響。

05 SK海力士M15已投產，新建的M16工廠將2020年Q4運營

SK海力士於2017年興建的清州M15廠已在2019年投入生產，用於加速量產其96層3D NAND，提高SK海力士NAND Flash市場主控權。SK海力士除了已投產的M15工廠，於2018年底動工新建的M16工廠，計劃在2020年10月完工，年底準備投產。

M16是SK海力士在利川新建M14工廠之後的又一新工廠，可能將用於生產DRAM，或者跟M14一樣是生產NAND Flash和DRAM的混合工廠，SK海力士也表示M16工廠規劃將視未來需求而定。

原廠產能擴產賽再起，3D技術過渡和大資料需求是主因

雖然NAND Flash市場仍然被供應過剩的低迷氛圍所籠罩，部分原廠也保持減產的狀態，但原廠新工廠投產的步伐未停歇，其主要原因在於3D NAND技術發展迅速，市場競爭激烈，尤其是3D技術向100層以上升級，需要更充足的清潔室完成技術的過渡與量產。

其次，隨著大資料、人工智慧、智慧汽車等應用加快，尤其是在5G網路大規模佈局的推動下，5G手機以及大資料儲存規模將大幅度的增加，滿足市場不斷增長的儲存需求，也是原廠建廠擴產的主要目的。