【6月7日訊】相信大家都知道，最近華為因為受到美國“全方位打壓”，而再次成為了整個中中國產科技行業的焦點，而大家也都非常擔憂華為海思半導體的晶片業務是否會受到重大的打擊，從目前臺積電、中芯國際等眾多晶片代工巨頭表態來看，華為海思半導體晶片或許也無法避免要面臨“斷供”的尷尬局面，這也直接透露出了目前中中國產晶片產業之痛，雖然我們能夠設計出很多出色的晶片，但在晶片加工領域，一直都無法實現突破，尤其是在高階晶片製造領域，也一直都依賴於臺積電；

而佔據著行業龍頭地位的臺積電，目前已經能夠實現最先進的5nm晶片工藝生產，而目前國內最先進、最強的晶片代工巨頭—中芯國際，目前也只能夠達到14nm工藝，可以說距離臺積電依舊還有著很大的差距，但更重要的是在很多關鍵裝置方面，依舊受限於人，尤其是在受到美國方面的阻撓下，導致中芯國際從荷蘭訂購的最新、最先進的極紫外光刻機裝置，一直都未能夠完成交付，雖然我們也能能夠製造中中國產光刻機裝置，但在光刻機裝置技術上，我們的技術同樣也較為落後，高階光刻機裝置，我們一直還無法制造，終於在近日，中中國產光刻機巨頭—上海微電子傳來了最新的好訊息；

上海微電子已經對外披露，將會在一年內正式交付第一臺28nm的中中國產光刻機裝置，據業內人士透露，首臺中中國產28nm製程（軟體操作介面）的上海微電子SSA/800-10W將會在年底正式下線，單次曝光可直接實現28nm製程（軟體操作介面），而這臺光刻機裝置也將會成為中國最先進的光刻機裝置，製程工藝也將會直接趕超日本佳能、尼康廠商，成為繼荷蘭ASML後，全球第二先進的光刻機廠商巨頭。

據悉，這臺上海微電子SSA/800-10W光刻機裝置將會採用ArF光源，而套刻精度則在1.9nm左右，在多次曝光下能夠實現11nm製程工藝的晶片生產，如果改用套刻精度更優的華卓精科工作臺（1.7nm），在多重曝光下更是能夠實現7nm製程工藝的晶片生產；

並且中國還在研發更加高階的EUV 高階光刻機，而最核心的EUV光源曝光機將會由長春機電研發，一旦取得技術突破，並實現量產，這意味著中國晶片製造工藝將會更上一層樓，我們的科技水平也將會得到巨大的進步和提升，未來上海微電子也將會全力支援中芯國際和華為，助力中國半導體不斷取得突破，而這樣的一種發展也讓華為以及更多的中國科技企業充滿了信心，而小編也相信未來我們一定會擁有自己先進光刻機，徹底跨過晶片製造這道“難關“，而華為以及更多的中中國產晶片企業也無需再擔憂“晶片”斷供問題。各位小夥伴們，你們對於中中國產光刻機巨頭—上海微電子所取得"新突破"一事，都有什麼樣的意見和看法呢？歡迎在評論區中留言討論，期待你們的精彩討論！