2020年7月中旬JEDEC固態儲存協會正式釋出DDR5 SDRAM記憶體標準規範後，DDR5新技術應用受到業內的關注以及專業領域的探索。

江波龍電子今天正式釋出Longsys DDR5記憶體模組產品（ES1）。涉及兩款全新架構產品原型，分別是1Rank x8和2Rank x8標準型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相較於DDR4，DDR5在功能和效能上都得到了顯著提升。

此外，部分測試資料首次面向公眾公開。其中，展示的測試例項採用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發板，搭配Longsys DDR5 32GB 4800記憶體模組，並配置Windows 10 Pro x64作業系統，分別透過魯大師和AIDA64兩個熟知的軟體展示DDR5的真實資料。

（透過BIOS瞭解到DDR5新架構採用了兩個完全獨立的32位通道）

1、魯大師測試資料

首先呈現的是硬體配置，記憶體識別為Longsys ID。

透過魯大師測試，Longsys DDR5 32GB 6400的跑分高達19萬分有餘。

2、AIDA64測試資料

透過測試，能夠獲取到Longsys DDR5 32GB 6400讀/寫/複製/延遲的效能跑分。

為了更加直觀地體現效能的提升力度，還加入了DDR4的測試對比。根據資料顯示，Longsys DDR5在效能上實現了跨越式提升。

核心指標揭秘

糾錯能力增加

在最佳化DDR5 DRAM核心運算能力上，Longsys DDR5增加內建糾錯碼（ECC），全面實現資料糾錯能力，進一步提高資料完整性，同時也緩解了系統錯誤校正負擔並充分利用DRAM讀寫的高效機制。

增加16n的預取模式

BL16使得Longsys DDR5記憶體的併發性在DDR4的基礎上提升了一倍，訊號能夠更完整高效地傳遞。本次DDR5 DIMM新架構採用了兩個完全獨立的32位通道，提高了併發性，並使系統中可用的記憶體通道增加了一倍。

端到端的接收模式的強化

在DDR5新技術應用中除了DQ/DQS/DM繼續採用ODT功能，增加CA、CS類訊號也使用了ODT。因此，Longsys DDR5記憶體進一步減少了訊號脈衝的反射干擾效應，讓訊號傳輸更加純淨。

DDR5 Bank Group 翻倍

DDR5記憶體使Bank Group的數量增加了一倍，並且每個Group的Bank數量保持不變。Longsys DDR5 BG提供更少的訪問延遲，加倍提高了系統的整體效率，允許更多頁面同時被開啟。

SAME-BANK Refresh重新整理模式

Longsys DDR5根據標準還實現了一個新特性，稱為SAME-BANK Refresh（同步重新整理）。此命令允許重新整理每個BG中的一個Bank，使所有其他Banks保持開啟狀態以繼續正常操作。

未來的應用場景不斷革新和進步，對儲存技術提出了更嚴苛的要求，亦大大加速了DDR5發展程序，各大主流平臺對於DDR5的支援也推進迅速。

據悉，Intel方面預計今年第三季度就有支援DDR5的平臺上市。而驅動DRAM記憶體市場向DDR5升級的動力來自對頻寬有強烈需求的專業應用領域，比如伺服器、雲計算、資料中心、高效能計算機等應用領域均有望得到重點部署，此次迭代也為行業客戶提供了更出色的記憶體解決方案。

截止2021年3月12日，Longsys申請專利總數達到838個，其中境外專利申請178項；已授權且維持有效專利411項、其中境外授權且維持有效專利83項；軟體著作權65項。

據悉，今年Longsys記憶體產品線仍將精益求精，持續提供更多的DDR5產品規格和技術服務。