文章來自：拓墣產業研究

今年8月26日，美國晶片代工廠格芯（又稱格羅方德）在美國和德國兩地提出對臺積電的侵權訴訟後，各界都很關注臺積電會如何應對。美國時間9月26日，美國國際貿易委員會正式以格芯的侵權申訴為由，對包括臺積電在內的22家半導體廠商啟動337調查。或許正是因此，臺積電加快了應對步伐，並採取法律手段以捍衛自身權益。9月30日，臺積電正式對格芯提出侵權訴訟。至此，全球前兩大晶圓代工廠或將對簿公堂，且此也引發了外界議論紛紛。

據臺積電所公佈的新聞稿，臺積電於9月30日在美國、德國及新加坡三地對格芯提出多項專利侵權訴訟，控告格芯侵犯了臺積電25項專利，包括FinFET設計、淺溝​​槽隔離技術、雙重曝光方法、先進密封環及閘極結構，以及創新的接觸蝕刻停止層設計等專利技術，這些技術廣泛應用在40nm、28nm、22nm、14nm及12nm等製程工藝。

另外，臺積電在此次訴訟中也要求法院釋出禁止令，禁止格芯生產及銷售侵犯了臺積電專利的半導體產品，以及對非法使用臺積電半導體專利技術與銷售侵權產品的格芯尋求損害賠償。

對臺積來說，提出侵權訴訟，不僅是在臺面上對格芯做出反擊，也更有機迫使格芯評估彼此在訴訟過程中可能造成的損失。目前臺積電並沒有公佈確切的侵權專利號碼，但從專利所包含的技術層面看來，與格芯提出的頗有些相似，因此在侵權判斷上可能會依據相同的邏輯或判斷原則，代表若一項專利侵權勝訴，相對應或類似的另一項專利也有勝訴可能，反之亦然。如此一來，或許較難定義出絕對的勝利者。

假若此類情況出現，不管對格芯，還是臺積電，都將會是雙刃劍，在損害對方的同時卻不一定能對自己有利。鑑於此，雙方尋求和解或互相撤銷訴訟的可能性增加。

從雙方提出訴訟所涉及的製程範圍來分析，格芯所瞄準的，是臺積電極具產品競爭力的製程——28nm、16nm、12nm、10nm及7nm，在2019年第二季度佔比達45%，尤其臺積電7nm業績良好，產能持續擴增，估計28nm以下製程營收佔比將持續上升，是格芯瞄準能牽制臺積電的重要目標。此外，格芯是目前市場上極力推廣SOI相關產品的廠商之一，在臺積電鮮少著墨SOI技術的情況下，或許也希望藉此次專利侵權訴訟來提升自己的FD-SOI技術市佔率。

另一方面，臺積電訴訟涉及的製程範圍雖然影響不到格芯FD-SOI相關產品，但範圍擴及格芯成熟製程40nm，且在格芯停止研發7nm製程後，轉而力求優化12nm製程。因此臺積電提出有關FinFET閘極設計、雙重曝光方法及接觸蝕刻停止層設計等相關專利，對格芯也就有著不小的潛在影響；倘若專利證實侵權，等於又進一步抑制格芯在晶圓代工第二梯隊的競爭優勢。

值得一提的是，雙方瞄準的製程範圍影響層面廣且重要性高，或許也會讓競爭對手尋找得利的機會點。無論從技術發展或營收來看，三星電子與臺聯電正好是臺積電與格芯最主要的競爭對手，若此番訴訟的結果讓雙方互傷元氣，可能給三星電子與臺聯電追趕的機會，尤其聯電與格芯在技術與營收上相近，加上聯電在日本完成的收購計劃與格芯 2020年將交割廠房，倘若格芯在法律過程中有所損失，相信會縮小領先聯電差距，甚或有可能被聯電趕超。