最近，美國禁止光刻機領域公司與中國合作，企圖卡住中國晶片製造業，引起軒然大波。但也暴露出中國光刻機晶片製造領域的不足，在上個世紀光刻機快速發展階段時，因為光刻機領域花費技術等一系列問題，使得中國並沒有趕上隊伍，導致差距被越拉越大。但最近一條好訊息是中國中中國產22NM的光刻機迎來新突破，中國晶片迎來新篇章。

光刻機技術突破刻不容緩

很多人會問中中國產晶片何時能代替進口晶片，為什麼我們造不出高階晶片？這一個是中國起步較晚，一個就是製造晶片的核心領域光刻機技術短板造成的。要知道晶片製造離不開光刻機，光刻技術也是我們必須要掌握的。要知道華為可以製作手機，製作電視等智慧產品，這幾年在CPU處理器上也有很大突破。

但是美國禁止海外光刻機公司和中國的合作，中國晶片製造業就瞬間被人掐了脖子動彈不得。雖然中國突破22NM的光刻技術，但是相比國外光科技領域巨頭ASML、臺積電等7NM的光刻技術還是有一段距離的。

中國光刻領域的挑戰與難題

此前，中國光刻機是90NM的光刻技術，和世界光刻領域差距非常大，根本不是一個量級，這次雖然中國突破22NM的光刻技術，可以說縮小之間差距，但中國依然面臨諸多問題與挑戰，首先光刻機技術開始於50年代美國，經過半個多世紀的發展，各個國家通力合作，領域學科之間相互交叉，難度可想而知。中國雖然在在上個世紀六十七十年代也開始摸索，但是始終落後於世界的腳步。

要想突破就要首先了解當下幾個關鍵問題，首先是ASML等公司已經研製出了5NM的光刻機技術，據悉AMD、高通等公司已經開始了5NM的製程工藝向轉變，而中中國產光刻機剛突破的22NM顯然差距明顯，根據報道說當前5NM技術相對之前提升約10倍，值得一提的是採用石墨烯晶片可以使得對光刻機工藝要求較低，但現實卻是石墨烯晶片技術的突破並不比光刻機簡單多少。

還有就是中中國產光刻機很多製造原材料如光源、透鏡等依然依賴外部進口。雖然我們在華為海思的晶片走在世界前沿，但沒有光刻機廠家與之代工，那中國的晶片就無法制造。

中國的突破

從2002年開始，上海微電子裝備最好的90NM光刻技術，到突破22NM的振奮訊息，背後是科研人員的默默付出。隨著禁令臺積電也將不再給我中國代工晶片，凡是涉及美國技術領域的都不可以和中國合作，這也包括了中芯國際等。

雖然現在困境很多，但中國一步也沒有停歇，並且再一次突破和掌握了光刻機雙工作臺的核心技術，打破歐美光刻的技術壟斷。

另外，在中科院長春光機所長達七年研發的“1.5米掃描干涉場曝光系統”也打破國外技術封鎖，該技術戰略意義重大，不僅可以應用於光刻機技術方面，還可以應用在可控核聚變，高能鐳射等多領域。

這些技術從無到有一點點的突破，代表中國的光刻領域突破不是一蹴而就的，是任重而道遠的，但總有一天中國晶片製造業會拿出屬於我們自己的驕傲答卷。