這段時間，由於華為在晶片斷供方面受到影響，不僅讓我們福斯看到了現在科技技術核心上的嚴峻性，更讓相關企業寄希望於外來技術的幻想徹底破滅。

可以說這一次在晶片上的問題，其實是國內抓緊時間奮力追趕的好時期。

在此前，就有訊息傳出臺積電早在去年就對2nm晶片的研發，並且還有專門的研發團隊，現在臺積電2nm改採用全新的多橋通道場效電晶體架構，可以解決FinFET因製程微縮產生電流控制漏電的物理極限問題，研發進度超前。

對於臺積電在2nm晶片研發上的突破，已經讓我們看到自己與行業中晶片製造大佬的差距。

不過，國內的晶片製造公司並不是沒有行動。

中芯國際在晶片方面已經對N+1、N+2等先進工藝的晶片進行量產，並且第二代 FinFET N+1已進入客戶匯入階段，預計有望在2020年底實現小批量試產。

雖然根據業內人士的說法中芯國際在N+1、N+2工藝上相當於臺積電10nm的晶片，基本可以被稱為是臺積電7nm晶片的“低配版”。

從這方面看，7nm和2nm仍然存在一定的差距，但也讓大家看到了中芯國際在晶片研製的決心。

不過很多網友還是有一些質疑，製造晶片不是需要用到光刻機嗎？

中芯國際沒有光刻機怎麼繼續研究下去，對於這個方面，中芯國際表示這一次在N+1、N+2等先進工藝上暫時用不上光刻機裝置，也就是說這一次中芯國際在這個專案上並不會受到光刻機的制約。

這兩天，中芯國際與臺積電相繼透露的訊息中，也不禁讓我們對於中中國產晶片的未來充滿希望，並且這一次在晶片上的攻克，並不僅僅靠一個企業。

此前，中科院院長白春禮在關於晶片上的講話時就表達出國內將集中精力、集中物力、人力共同將晶片上遇到的那些難題一步步攻克掉，到那時候我們就會有真正屬於自己的晶片上的核心技術了。