近期，比亞迪好訊息不斷，不僅拿下蘋果iPad的代工，為英偉達代工的顯示卡也賣斷貨。

最近，又有外媒報道，比亞迪正在與戴姆勒就IGBT（絕緣柵雙極電晶體）進行最後的談判，如果談判成功，意味著以後在戴姆勒的新能源汽車上，會出現“中中國產芯”。雖然談判結果仍未出來，但是坊間一致看好，原因很簡單，各取所需，而且雙方已經有多年的合作關係。

十年前，比亞迪與戴姆勒成立合資公司的事件轟動一時。

儘管十年過了，這家合資公司一直處於虧損狀態，雙方還是捨不得放棄，年初時候，比亞迪還特地為這家合資公司又注資了3.5億元。之所以如此鍥而不捨的扶持這家公司，說到底還是有共同的利益訴求。

首先是比亞迪看中了戴姆勒百年汽車的工業積澱，可以在後者身上學到先進的管理經驗，也能通過合作關係將自己的IGBT和電池等產品打入以戴姆勒為首的國際供應鏈，進一步在IGBT上向英飛凌這樣的國際巨頭看齊；第二方面是在電池上維持領先地位。

戴姆勒則看中了比亞迪在新能源汽車方面的沉澱，通過與比亞迪合作押寶新能源汽車，對抗汽車新貴特斯拉。

IGBT的廣闊市場

IGBT簡單理解就是汽車的大腦，對於電動汽車來說電控接受整車的控制器指令，而逆變器又是電控的核心，IGBT模組是逆變器的核心，所以IGBT模組相當於汽車動力系統的CPU。

從成本來看，新能源汽車中成本最大的一部分為電池，約佔40～50%，其次就是點選驅動系統，約佔總成本的15～20%，最後落到IGBT模組上，約佔總成本的８～10%，是僅次於汽車電池成本的存在，以特斯拉Model X為例，其使用了英飛凌提供的132個IGBT管，所花費用大約在650美元。

隨著汽車電動化和智慧化的持續推進，新能源汽車已經成為功率半導體增長的最大動力，而中國又是全球最大的新能源汽車增量市場。

根據工信部的最新資料，中國已經連續五年實現新能源汽車產銷第一的好成績，並將在2025年提高新能源汽車的競爭力，包括動力電池、驅動電機、車載系統等取得關鍵突破，力爭2025年中國新能源汽車銷量能達到550萬輛。

新能源汽車的強大需求自然會帶動IGBT的增長，根據集邦諮詢2019年IGBT產業發展報告顯示，受益於新能源汽車及工業領域需求的大幅增長和IGBT技術成熟，IGBT市場規模迅速正在迅速擴大。2018年中國IGBT市場規模為153億人民幣，較2017年上漲了19.9%。

IGBT格局

雖然中中國產新能源汽車正在蓬勃發展，但是作為核心的IGBT卻和其它中中國產半導體有著相同的命運，一直都是由國外企業所主導的。一方面是因為人才的短缺，工藝基礎薄弱，另一方面也是由於中中國產IGBT起步比較晚，IGBT模組至今大部分還是以歐洲、日本及美國這樣的半導體強國所主導。

在IGBT市場中也是一種強者越強的現象，根據英飛凌2017年財報顯示，前5大企業佔據了67.5%的市場份額，其中老大英飛凌27.1%的市場份額遙遙領先於其他產業，排在其後的依次是三菱、富士電機、安森美、賽米控。

作為老大的英飛凌，即使在2019年上半年全球汽車市場萎縮的情況下，業績依然同比增長了5.9%，並且與合資，成為福斯的合作伙伴，未來將為福斯的220萬輛新能源汽車提供半導體器件。在中國市場中，2017年英飛凌以58.2%的市場份額佔據絕對統治地位，是第二名比亞迪的3倍有餘。

隨著英飛凌收購賽普拉斯的完成，英飛凌將進一步加強其在汽車領域的護城河，其自身優勢在功率半導體、底盤、安全積體電路等，再加上賽普拉斯的強項，車聯網用MCU、NOR快閃記憶體、藍芽、USB Type-C PD等車聯網無線連線技術，雙方強強結合之後，英飛凌的車規級晶片可以覆蓋整輛汽車。

中中國產IGBT

如果沒有禁售，IGBT可能不會走上中中國產自造的道路。

十多年前，IGBT和現在的光刻機一樣，高階產品對中國都有銷售禁止。國際IGBT巨頭規定，中國企業購買IGBT，只能用於變頻器行業，要買高階IGBT用來造新能源汽車，是絕對禁止的，國內企業只得走上一條自主研發的道路。

近些年也開始出現一批優秀的企業，比如正在和戴姆勒談合作的比亞迪，從2005年就開始涉足IGBT，現在已經成為中國唯一一家擁有IGBT完整產業鏈的車企。此外，還有建成國內首條8英寸IGBT產線的中車時代電氣、以及專注第六代IGBT研發和生產有望實現電力和電機牽引領域中中國產化的斯達半導體。

以上這三家都屬於IDM性質的企業。

在資本市場上，這幾家企業也受到投資者的熱捧，斯達半導體在上市之後，股價最高時漲幅達到了1424%，而比亞迪則在今年4月分拆半導體業務之後，融資規模一個月便達到27億，引入超過30家機構的44名投資主體，市值直線上升到300億元，市場對IGBT企業的熱捧也從側面反映出中中國產IGBT已經是一個不可忽視的存在。

如果從產業鏈來看的話，還有更多的企業隸屬於IGBT領域，IC設計公司有東威半導體、中科君芯、無錫新潔能、寧波達新等。

製造部分有華虹半導體、中芯國際、華潤微電子、上海先進。其中華虹半導體在今年7月底宣佈，加速進軍IGBT市場，作為全球首家提供場截止型IGBT量產技術的8英寸晶圓代工企業，華巨集在IGBT製造領域具有深厚經驗，擁有先進的全套IGBT薄晶圓背面加工工藝，目前已加速匯入新能源汽車、風力發電、白色智慧家電等市場，進一步豐富IGBT產品線。

封裝部分有賽晶電力電子、中車永電、威海新佳、美林電子，其中賽晶電力電子是國內IGBT封裝較為成熟的公司。

SiC：下一場的主角

相對於傳統的矽材料，碳化矽的禁頻寬度是矽的3倍；導熱率為矽的4-5倍；擊穿電壓為矽的8倍；電子飽和漂移速率為矽的2倍，因此，碳化矽特別適於製造耐高溫、耐高壓，耐大電流的高頻大功率的器件。

隨著IGBT逼近矽基材料的效能極限，SiC晶片成了驅動新能源汽車的下一個重點，而當前SIC行業發展的瓶頸主要在於SIC襯底成本高，不過隨著技術的成熟，成本也在不斷下降。

目前國際主流車企都在與半導體巨頭們合作，發展SiC晶片在新能源汽車上的應用，特斯拉與ST和英飛凌合作，已經率先在Model 3逆變器上啟用車規級SiC功率模組，福斯與Cree及英飛凌開啟了FAST專案、豐田與Rohm及電裝展開合作，搭載CAMRYHybrid和普銳斯進行路面技術測試、國內的除了與英飛凌展開合作，目前已進入驗證階段，比亞迪則自研開發，前不久宣佈推出國內首款批量裝車SiC模組。

總 結

不得不承認國內的IGBT產業與國外巨頭還是存在一定差距，畢竟技術需要沉澱與積累，但是中中國產IGBT的成長也是有目共睹，此次比亞迪與戴姆勒的談判，無論成功與否，都是中中國產IGBT走出去的重要一步，最起碼品牌認知度在逐漸開啟。

綜合來看，獨立自主才是半導體產業發展的生存之道。

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