在芯片製造領域，臺積電憑藉著超高的良品率，一舉成為全球最大的芯片製造商，而三星和英特爾緊隨其後，尤其是英特爾，一直都想重新回到半導體領導者地位。

然而，現實並不允許英特爾“臆想連篇”，原因很簡單，那就是英特爾和臺積電之間的差距實在是太大了。要知道，目前英特爾只是進入了10nm製程工藝，而臺積電和三星都已經完成了3nm芯片的研發。關鍵是，臺積電已經計劃在2025年實現2nm芯片的量產。

也就是說，如果英特爾想超越臺積電，那麼就必須在2025年之前實現2nm芯片或者突破更高製程芯片。這項任務對於英特爾來說，幾乎不可能完成。正如臺積電創始人張忠謀說的那樣：即使投資540億美元，美國也不可能打造一條完整的半導體產業鏈，其推動芯片本土化屬於徒勞無功之舉。

要知道，英特爾可是有著“美太子”之稱，其不僅能夠從ASML手中獲得最先進的EUV光刻機，而且還能不收任何限制的使用美技術和元器件。在這樣的情況下，英特爾至今都沒有突破7nm製程，其實力不敢恭維。

讓人沒想到的是，就在近日有消息稱，美國康奈爾大學的科學家通過改良的家用微波爐解決了2nm半導體工藝生產的重大障礙。

另外，康奈爾大學還發表了一篇名為“通過微波退火對摻雜超過其溶解度極限的磷的納米硅片進行有效且穩定的活化”的論文。

據悉，康納大學是在臺積電的支持下，才開展的微波退火研究，而該項技術適用於最新的奈米片晶體管技術，臺積電方面也已經表示將使用2nm的奈米片來生產GAAFET。

此消息一出，就有美媒表示，英特爾完全可以利用該項技術實現對臺積電的反超。那麼問題來了，臺積電會讓英特爾使用該項技術嗎？暫且不說臺積電願不願意，美方聯合日本研發2nm芯片就能說明一切。

值得一提的是，在價值2800億美元的《芯片與科學法案》通過一個月後，英特爾方面宣佈，投資200億美元的晶圓代工廠正式破土動工。而據知情人士分析，英特爾新建的晶圓廠將於2025年量產相當於2nm、1.8nm工藝的芯片。

儘管如此，外界還是不看好英特爾能夠實現“彎道超車”。因為率先量產更先進的製程芯片，並不意味著領先。比如由三星代工的驍龍8處理器，相比於由臺積電代工的驍龍8處理器就存在很大差異，前者代工的芯片性能遠不及後者代工的芯片。也就是說，芯片良品率決定了芯片的性能高低。

除此之外，雖然三星率先量產了3nm芯片，但由於芯片良品率問題，高通、蘋果、AMD等企業還是選擇交給臺積電代工。