上一篇文章提到了閃存的基本儲存單元。這一篇文章我們談一下閃存的類別。根據閃存基本儲存單元的連接方式不同，我們把閃存產品分為四大類。分別為：NAND Flash 、NOR Flash、DINOR（Divided Bit-Line NOR）Flash和AND Flash。
為了方便描述，我們用一個符號來表示閃存的基本儲存單元。如下圖所示。
NAND Flash。
NAND Flash的最大特點是把基本儲存單元串聯連接起來使用。如下圖所示。
基本儲存單元Cell 1的源極連接到基本儲存單元Cell 2的漏極，基本儲存單元Cell 2的源極連接到基本儲存單元Cell 3的漏極，……依此類推，到最後，基本儲存單元Cell n-1的源極連接到基本儲存單元Cell n的漏極，基本儲存單元Cell n的源極連接到地。這樣，一連串的基本儲存單元組成一條數據線（Data Line）。為了管理方便，在該數據線的前端，即Cell 1的漏極，加入一個開關管SW1。當向SW1的G極施加有效電平時，這條數據線才被選中。每個基本儲存單元的G極，連接到各自對應的字線（Word Line）。
NAND Flash還可以細分為SLC、MLC、TLC三種。
SLC：Single Level Cell
早期的NAND Flash，只需要判斷懸浮閘內是否有電荷。假設有電荷為“1”，則無電荷就是“0”。一個基本儲存單元只儲存1bit數據。這種NAND Flash被稱為SLC。它的讀寫操作簡單快速。
MLC：Multiple Level Cell。
後來發展出一種新的NAND Flash，一個基本儲存單元內可以儲存2bit數據。其原理其實很簡單：假設懸浮閘內可以儲存40個電荷，如果裡面不足10個電荷，我們把它判定為“0”，如果裡面有10-20個電荷，我們把它判定為“1”，如果裡面有20-30個電荷，我們把它判定為“3”，如果裡面有30-40個電荷，我們把它判定為“4”。當然，實際上不可能去數電荷，而是用四個參考電壓值去比較，接近哪個等級就判定為哪個值。由於讀寫過程都要進行電平比較，所以MLC的讀寫比SLC慢很多。
TLC：Triple Level Cell。
TLC則是在一個基本儲存單元內儲存4bit數據。原理和MLC一樣，只是多劃分了幾個等級。由於讀寫過程中要比較的參考值比較多，所以，TLC的讀寫速度比MLC更慢。
綜上所述，SLC的閃存讀寫速度比較快，其次是MLC，最慢是TLC。但相同大小的集成芯片，MLC可以獲得SLC兩位的容量，TLC可以獲得SLC四倍的容量。因此，SLC的閃存價格非常高，一般只會用來製造容量比較小的存儲器。如果有人告訴你某個SSD的容量很大，價格卻很低，那一定不會是SLC的閃存了。大容量的SSD，最好的也就是用MLC的閃存了。下面這款是我精心挑選的質量不錯的固態盤，正好做活動還有優惠。
NOR Flash
NOR Flash的基本儲存單元是並聯連接。各基本儲存單元的G極連接到字線（Word Line），源極連接到源線（Source Line），漏極連接到數據線（Data Line）。如下圖所示。
NAND Flash和NOR Flash的異同點：
NOR Flash寫入時採用通道熱電子（Channel Hot Electron）方式。在G極和漏極之間施加較高的電壓，以提高通過N溝道的電子的能量，讓這些電子可以突破絕緣層進入懸浮閘。因此，這種閃存的能耗較大，不適於低壓操作。
NAND Flash寫入時採用隧道（Tunel）方式。利用氧化膜的隧道現象來寫入資料。因此能耗較小。
NOR Flash的讀出速度非常快。讀出時間只需要100ns。適用於隨機存取。
NAND Flash是串聯連接，所以它只適合順序存取（Sequential Access）。如果要隨機儲存（Random Access），則速度非常的慢。
NOR Flash的基本儲存單元體積較大，很難高密度集成。
而NAND Flash基本儲存單元體積較小，適於高密度集成。也因此，市面上容量較大的閃存，基本上是NAND Flash。
下面這款品質非常不錯的2TB固態盤，雖然用的是TLC NAND Flash芯片,但有大公司先進技術加持，讀寫速度也是非常不錯了。
為了兼備NAND Flash的高密度集成和NOR Flash的快速隨機存取，並避開它們的缺點，日本三菱和日立等公司又研發出了DINOR Flash和AND Flash。
DINOR Flash如下圖所示：
AND Flash如下圖所示：
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