隨著全球數據量的增加，客戶必須擴大存儲容量，提升性能，同時降低能耗，並滿足對環境可持續發展更為嚴格的要求。美光 232 層 NAND 技術提供了必要的高性能存儲，支持數據中心和汽車應用所需的先進解決方案和實時服務，同時還可在移動設備、消費電子產品和 PC 上實現快速響應和沉浸式體驗。

美光還在該技術節點上實現了業界最快的 NAND 輸入/輸出（I/O）速度（每秒2.4GB），以滿足低延遲和高吞吐量的需求，適用於人工智能和機器學習、非結構化數據庫和實時分析，以及雲計算等數據密集型工作負載。該 I/O 速度比美光在 176 層節點上所支持的最高速度還要快50%。

相比上一代產品，美光 232 層 NAND 的每顆裸片寫入帶寬提升至高100%，讀取帶寬提升至少 75%。這些優勢提升了 SSD 和嵌入式 NAND 解決方案的性能和能效。

此外，美光 232 層 NAND 還是全球首款六平面 TLC 量產 NAND。與其他 TLC 閃存相比，該產品在每顆裸片上擁有最多的平面數量，且每個平面都具有獨立的數據讀取能力。高 I/O 速度和低讀寫延遲，以及美光的六平面架構，使其可在多種配置中提供一流的數據傳輸能力。該結構可確保減少寫入和讀取命令衝突，推動系統級服務質量的提升。

美光 232 層 NAND 是首款支持 NV-LPDDR4 的量產技術。NV-LPDDR4 是一種低壓接口，與此前的 I/O 接口相比，每比特傳輸能耗可降低至少 30%。因此，232 層 NAND 解決方案可實現高性能與低功耗平衡，是移動應用以及數據中心和智能邊緣領域部署的理想之選。此外，該接口還可向後兼容，支持傳統控制器和系統。

232 層 NAND 緊湊的外形規格還便於客戶進行靈活設計，同時實現超越歷代產品的每平方毫米最高的 TLC 密度(14.6 Gb/mm2)。其面密度比當今市場上的 TLC 競品高 35% 到 100%。它還採用全新的 11.5mm x 13.5mm 封裝規格，較前幾代產品的封裝尺寸小 28%，使其成為目前市場上尺寸最小的高密度 NAND。該產品兼具小體積和高密度，因此佔用更小的電路板空間，適用於各類部署。

據悉美光 232 層 NAND 目前已在其新加坡晶圓廠實現量產，並首先以組件形式通過英睿達（Crucial）SSD 消費類產品線向客戶出貨。其他產品信息及供貨狀況將在稍後公佈。