快恢復二極管芯片PN結構終止區用採用玻璃鈍化技術，其熱膨脹係數與硅的熱膨脹係數相匹配。所有的硅芯片越來越多的使用保護環平面技術和溝道阻斷來降低芯片的表面電場。 芯片的接觸區域真空沉積金屬層，實質上這有助於它們的高功率循環應用能力和適合芯片的封裝工藝。所有在硅晶圓片上加工處理的芯片在樣品測試後，自動標識不符合電氣說明的芯片，然後世成小顆粒。芯片顆粒的可形狀是正方形或長方形的。玻璃鈍化平面處理二極管芯片終端截面的擴散層如圖2所示。

現在整個晶片的底部表面可直接焊接到DCB或其他陶瓷基片，而不需要鉬片段衝應力。消除了應力緩衝和焊層，減少了熱阻，從而增加了阻斷電壓的穩定性，降低了FRED的正向壓降，在規定的正向電流下，二極管的正向電壓降，是二極管能夠導通的正向最低電壓，所以也降低了二極管的功率損耗。

FRED二極管在整個工作溫度範圍內性能穩定，並且對於溫度的變化，正向電壓降的變化可以忽略不計。該二極管是為高頻應用設計的，在高頻應用時穩定可靠。由於單個芯片通態電流較小，大電流情況下一般並聯使用，組成大電流快恢復二極管模塊。由於是並聯使用，模塊的反向恢復時間要比單個芯片的長。並聯使用的結構如圖2所示。