長江存儲第四代TLC三維閃存X3-9070

自2018年問世以來，晶棧（Xtacking）技術已成為長江存儲助推閃存行業發展的關鍵動力之一。存儲陣列和外圍電路的混合鍵合工藝為閃存產品帶來了更高的密度、更快的I/O速度和更短的產品上市週期。隨著長江存儲晶棧3.0的推出，新一代X3系列閃存產品將為大數據、5G、智能物聯（AloT）及其他領域的多樣化應用帶來新的機遇。

經歷了晶棧從1.0到3.0的迭代發展，長江存儲在三維異構集成領域已積累了豐富的經驗，並基於晶棧技術成功打造了多款長江存儲系統解決方案產品，包括SATA III、PCIe Gen3、Gen4固態硬盤，以及用於移動通信和其他嵌入式應用的eMMC、UFS等嵌入式存儲產品，獲得了行業合作伙伴的廣泛好評。

“長江存儲自研晶棧3.0架構的問世是其在3D NAND賽道上的重要突破，” Forward Insights 創始人兼首席分析師 Gregory Wong表示，“事實證明，存儲陣列和外圍邏輯電路的混合鍵合技術對推動3D NAND 技術發展和創新至關重要。搭載先進的閃存技術晶棧3.0平臺，X3-9070是一個關鍵的行業里程碑。這也預示著，存儲單元和外圍邏輯電路混合鍵合的技術，將有望成為未來的行業主流。”

作為一款創新產品，長江存儲X3-9070兼具出色的性能、更佳的耐用性以及高質量可靠性，並通過美國電子器件工程聯合委員會（JEDEC）定義的多項測試標準。

X3-9070具有如下技術特點：

· 性能：X3-9070實現高達2400MT/s的I/O傳輸速率，符合ONFI5.0規範；相較於長江存儲上一代產品實現了50%的性能提升；

· 密度：得益於晶棧3.0的架構創新，X3-9070成為了長江存儲歷史上密度最高的閃存顆粒產品，能夠在更小的單顆芯片中實現1Tb的存儲容量；

· 提升系統級產品體驗：得益於創新的 6-plane設計，X3-9070相比傳統4-plane，性能提升50%以上，同時功耗降低25%，能效比顯著提升，可為終端用戶帶來更具吸引力的總體擁有成本（TCO）。