1.本徵半導體：

這種材料完全純淨，不含雜質，晶格完整，因為內部共價鍵被內在激發(某些價帶中的電子越過禁帶進入空帶，形成在外電場下可以自由運動的電子和空穴)並導電。

要理解半導體的導電特性，我們必須有這樣一個電子-空穴對的概念。簡單來說，電子傳導是自由電子(帶負電荷)的運動，而空穴傳導是共價鍵中的電子向附近空穴的運動，這說明空穴(帶正電荷)在運動。

2.n型半導體：

磷等五價元素的一定量雜質(施主雜質)摻雜到本徵半導體中。由於原子最外層的電子數比硅等材料多，形成共價鍵後會多出一個電子，這個電子的激發能遠遠低於價態的電子。因此，N型半導體材料的導電性主要是自由電子(仍有少量空穴)，在這個過程中材料仍是電中性的。

3.p型半導體：

三價元素的雜質(受體雜質)，如硼，被摻雜到本徵半導體中。由於原子最外層的電子數量少於硅等材料，共價鍵形成後會留下一個額外的空穴。這個空穴的能級接近價帶電子的能級，價帶電子很容易被激發遷移到這裡。因此，N型半導體材料的導電主要是空穴載流子(仍有少量電子)，在這個過程中材料仍是電中性的。

如何判斷半導體的類型?

通過對比分析，識別出p型半導體和n型半導體。p型半導體又叫空穴型半導體。p型半導體是空穴濃度遠高於自由電子濃度的雜質半導體。p型半導體是通過在純硅晶體中摻雜三價元素(如硼)來取代硅原子在晶格中的位置而形成的。

在P型半導體中，空穴是多重態，自由電子是少數載流子，主要由空穴傳導。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。添加的雜質越多，多重態(空穴)的濃度越高，電導率越強。

n型半導體又叫電子半導體。n型半導體是自由電子濃度遠高於空穴濃度的雜質半導體。n型半導體是通過在純硅晶體中摻雜五價元素(如磷)來取代硅原子在晶格中的位置而形成的。

在N型半導體中，自由電子是多重態，空穴是少數載流子，主要依靠自由電子導電。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。添加的雜質越多，多形性物質(自由電子)的濃度越高，導電性越強

第三代半導體材料：以碳化硅以及氮化鎵為代表，可應用在更高階的高壓功率元件以及高頻通訊元件領域，是5G時代的主要材料。