DDR3與DDR2的區別：

1、DDR2為1.8V，DDR3為1.5V；

2、DDR3採用CSP和FBGA封裝，8bit芯片採用78球FBGA封裝，16bit芯片採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格；

3、邏輯Bank數量，DDR2有4Bank和8Bank，而DDR3的起始Bank8個；

4、突發長度，由於DDR3的預期為8bit,所以突發傳輸週期（BL，Burst Length）也固定位8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的；

DDR3為此增加了一個4-bitBurst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A112位地址線來控制這一突發模式；

5、尋址時序（Timing），DDR2的AL為0~4，DDR3為0、CL-1和CL-2，另外DDR3還增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD）；

6、bit pre-fetch：DDR2為4bit pre-fetch,DDR3為8bit pre-fetch；

7、新增功能，ZQ是一個新增的引腳，在這個引腳上接有240歐姆的低公差參考電阻，新增裸露SRT（Self-Reflash Temperature）可編程化溫度控制存儲器時鐘頻率功能。

新增PASR（PartialArray Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以說針對整個存儲器Bank做更有效的數據讀寫以達到省電功效；

8、DDR3的參考電壓分成兩個，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數據總線服務的VREFDQ，這將有效低提高系統數據總線的信噪等級；

9、點對點連接（point-to-point,p2p），這是為了提高系統性能而進行的重要改動。

OEM內存是品牌機專用，不面向零售市場，比如記憶科技內存就屬於典型的OEM內存。

OC內存是指超頻內存，具有良好的超頻能力， 非常適合配合CPU的超頻。

臺式機DDR內存是184針腳，電壓2.5V；DDR2內存是240針腳，電壓1.8V；DDR3內存也是240針腳，電壓1.5V（當然有電壓更高或者更低的DDR3內存）。

筆記本DDR2內存是200針腳，電壓1.8V；DDR3內存是204針腳，電壓1.5V。