光刻決定了半導體線路的精度，以及芯片功耗與性能，相關設備需要集成材料、光學、機電等領域最尖端的技術，被譽為是半導體產業CROWN上的明珠。單臺設備價格在2000萬美金以上，是中國半導體設備最需突破的環節之一。

光刻機的精度主要取決於光源波長、物鏡分辨率、雙工臺精度等。

目前全球唯一高端光刻機制造商是荷蘭阿斯麥爾公司生產的euv13.5納米極紫外光光源光刻機，該光刻機是目前全球精度最高的，這是集合了全球頂尖技術組合而成的，其零部件多達十萬個，每年產量不超過五十臺，從整機安裝調試到開始生產要長達一年時間之久，可見該設備的複雜性，任何一個環節出現問題都足以影響該設備的精度。而且13.5納米的光源屬於第五代，和中端193納米光源的第四代精度相差巨大，所以光源作為最主要的核心部件之一，對精度有決定性影響。再有就是物鏡的分辨率，物鏡可以達到高2米直徑1米，甚至更大。光刻機的整個曝光光學系統，由數十塊鍋底大的鏡片串聯組成，其光學零件精度控制在幾個納米以內，目前光刻機鏡頭最強大的是老牌光學儀器公司德國蔡司，其製造的物鏡分辨率是全球第一的。

影響光刻機精度的因素：

光刻機中的一個重要的性能指標指的是每個圖形的分辨率。分辨率是衡量分開相鄰兩個物點的像的能力。按照幾何光學理論，光學系統沒有像差時，每個物點應該產生一個銳利的點像，但是由於衍射現象的存在，實際的成像結果總是一個有限大小的光斑。如果兩個光斑發生了重疊，則二者中心強度極大值的位置很近，就越難以分辨出這兩個物點 。在先進的半導體集成電路製造中，為獲得高集成度器件分辨率很關鍵。光刻分辨率對任何光學系統都是一個重要的參數，並且對光刻很關鍵，因為需要在硅片上製造出極小的器件尺寸。硅片上形成圖形的實際尺寸就是特徵尺寸，最小的特徵尺寸即關鍵尺寸，對於關鍵尺寸來說，光刻分辨率很重要。

光刻機是半導體芯片生產流程中最複雜、最關鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。光刻機生產的難點和關鍵點在於將電路圖從掩模上轉移至硅片上，這一過程通過光刻機來實現， 光刻機的工藝水平直接決定芯片的製程水平和性能水平。

第一個條件：光刻機在生產中需要進行 20-30 次的光刻，耗時佔到 IC 生產環節的 50%左右，佔芯片生產成本的 1/3。

第二個條件：光刻的原理是在硅片表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過掩模照射在硅片表面，被光線照射到的光刻膠會發生反應。

第三個條件：此後用特定溶劑洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實現了電路圖從掩模到硅片的轉移。

光刻完成後對沒有光刻膠保護的硅片部分進行刻蝕，最後洗去剩餘光刻膠， 就實現了半導體器件在硅片表面的構建過程。

光刻機鏡頭的鏡面光潔度要求非常苛刻。滿足這一要求的條件之一就是擁有最高精度的磨床和最精細的鏡片磨料；另一種是擁有被稱為“金手指”的頂級技術人員來實現這一目標。

蔡司熟練的技術人員不到20人，這也是ASML產量不足的根本原因。因為鏡片是標準的非球面加工，不能純機械拋光，必須人工和機械配合。