光電子數與光的頻率無關，與光子個數有關，當光強一定時，光的頻率越大則光子數減少，因此光電子數減少

在光電效應中，當入射光頻率增大時，逸出光電子的最大初動能增大，但當同時入射光強度減弱時(入射光子數減少)光電流也減j小。

光電流是隨光源強度變化的光源強電流大，光源弱電流小。

一旦達到極限頻率以上，光源的強度越大，能量就越高，能打出的電子就越多，所以電流會隨光源的強度變化。

截止電位不會因光源強度而改變,但會因為光的頻率不同而發生改變。對同一金屬而言，光的頻率越大，截止電位越高。

首先得達到最低頻率,其次光電流隨著光源強度變化,光越強,電流越大。

暗電流是指P-N結在反偏壓條件下,沒有入射光時產生的反向直流電流。一般由於載流子的擴散產生或者器件表面和內部的缺陷以及有害的雜質引起。

擴散產生的原理是在PN結內部，N區電子多，P區空穴多，因為濃度差，N區的電子就要向P區擴散，P區的空穴要向N區擴散，儘管PN結內建電場是阻止這種擴散的，但實際上這中擴散一直進行，只是達到了一個動態的平衡，這是擴散電流的形成。

另外當器件的表面和內部有缺陷時，缺陷能級會起到複合中心的作用，它會虜獲電子和空穴在缺陷能級上進行復合，電子和空穴被虜獲到缺陷能級上時，由於載流子的移動形成了電流，同樣有害的雜質在器件中也是起到複合中心的作用，道理和缺陷相同。

暗電流一般在分選硅片時要考慮，如果暗電流過大能說明硅片的質量不合格，如表面態比較多，晶格的缺陷多，有存在有害的雜質，或者摻雜濃度太高，這樣的硅片製造出來的電池片往往少子壽命低，直接導致了轉換效率低!。