這個管子是N溝道MOS管,75伏75安最大300安.正常使用不能超過75伏.MOS管使用常識： 柵極懸空是不允許的,會擊穿.

但在實際應用中，廠家一般在源極和漏極之間連接一個二極管，起保護作用，正是這個二極管決定了源極和漏極，這樣，封裝也就固定了，便於實用。

一、指代不同

1、源極：簡稱場效應管。僅是由多數載流子參與導電，與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。

2、漏極：利用外部電路的驅動能力，減少IC內部的驅動，或驅動比芯片電源電壓高的負載。

二、原理不同

1、源極：在一塊N型半導體材料的兩邊各擴散一個高雜質濃度的P型區(用P+表示)，就形成兩個不對稱的P+N結。把兩個P+區並聯在一起，引出一個電極，稱為柵極(g)，在N型半導體的兩端各引出一個電極。

2、漏極：將兩個P區的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極，在N型硅片兩端各引出一個電極。

MOS管的定義：我們都在知道場效應管的結構是在一塊N型半導體的兩邊利用雜質擴散出高濃度的P型區域，其用P+表示，形成兩個P+N結。

是的，G極的電壓需要2-4V之間。 MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能，這樣的器件被認為是對稱的。 在對稱的MOS管中，對source和drain的標注有一點任意性，載流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個引線端就會互相對換角色。