是在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下，有效地使用化學藥液清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子、自然氧化層及有機物之雜質。

由於集成電路內各元件及連線相當微細，因此製造過程中，如果遭到塵粒、金屬的汙染，很容易造成晶片內電路功能的損壞，形成短路或斷路等，導致集成電路的失效以及影響幾何特徵的形成。

是一種刻蝕方法，主要在較為平整的膜面上刻出絨面，從而增加光程，減少光的反射，刻蝕可用稀釋的鹽酸等

溼法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術。簡單來說，就是中學化學課中化學溶液腐蝕的概念，它是一種純化學刻蝕，具有優良的選擇性，刻蝕完當前薄膜就會停止，而不會損壞下面一層其他材料的薄膜。由於所有的半導體溼法刻蝕都具有各向同性，所以無論是氧化層還是金屬層的刻蝕，橫向刻蝕的寬度都接近於垂直刻蝕的深度。這樣一來，上層光刻膠的圖案與下層材料上被刻蝕出的圖案就會存在一定的偏差，也就無法高質量地完成圖形轉移和複製的工作，因此隨著特徵尺寸的減小，在圖形轉移過程中基本不再使用。

目前，溼法刻蝕一般被用於工藝流程前面的晶圓片準備、清洗等不涉及圖形的環節，而在圖形轉移中幹法刻蝕已佔據主導地位。

1.

晶圓生產:晶圓是芯片製造的起點，它是由單晶硅棒切割而成，經過拋光、清洗等多個工序處理後製成。

2.

晶圓清洗:晶圓表面需要清洗乾淨，以去除表面的雜質和塵埃，同時保證晶圓表面的平整度和光潔度。

3.

晶圓上光:晶圓表面需要進行上光處理，以提高表面的光潔度和平整度。

4.

光刻:將光刻膠塗覆在晶圓表面，再通過光刻機對光刻膠進行曝光和顯影，形成芯片的圖形。

5.

蝕刻:對晶圓表面進行蝕刻處理，以去除光刻膠未覆蓋區域的硅材料。

6.

清洗:對晶圓進行清洗，以去除未被蝕刻掉的光刻膠和硅材料的殘留物。

7.

金屬沉積:將金屬沉積在晶圓表面，以形成電路的引線和電極。

8.

電鍍:對芯片進行電鍍，以提高芯片的導電性能。

9.

封裝測試:將芯片封裝成芯片模塊，並進行測試，以驗證芯片的電氣性能和可靠性。

10.

成品測試:對芯片模塊進行成品測試，以驗證芯片模塊的性能和可靠性

11.

以上是通用芯片製造工藝流程，不同的芯片製造工藝流程會有所不同，但基本上都會包括以上的步驟。