1啟動真空泵,先抽中間工藝腔室,再抽兩頭的裝載、卸載腔室。

2.

待工藝腔室真空到達5.0e-3時,啟動加熱器,將其激活。

3.

將4個微波源進行復位。

4.

復位後開始輸送特氣NH3、SiH4.

5.

待溫度達到400℃查看工藝方案狀態,檢查參數是否與之前一致。

6.

選擇工藝號,進行加載開啟。

您好，PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一種利用等離子體增強的化學氣相沉積技術，主要用於製備薄膜。PECVD的具體工藝流程如下：

1. 表面準備：將待沉積材料的基底表面清洗乾淨，並在表面形成一個良好的初始層，以促進後續沉積層的附著和穩定性。

2. 前處理：將基底置於PECVD反應室中，通過加熱或輔助加熱的方式使基底溫度達到沉積溫度，以提高反應的速率和質量。

3. 氣體進料：將沉積氣體引入PECVD反應室中，該氣體是一種含有預先確定化學成分的氣體混合物，可以通過單一氣體或多種氣體混合而成。

4. 等離子體產生：通過電極放電將氣體引入PECVD反應室中，產生等離子體。等離子體的形成是PECVD技術的關鍵步驟，它將氣體分解成反應物種和活性離子。

5. 沉積：等離子體產生後，反應物種和活性離子在基底表面發生化學反應，並沉積在基底表面形成薄膜。

6. 後處理：沉積完成後，需要對薄膜進行後處理，如退火、氧化、硝化等，以提高薄膜的質量和穩定性。

以上就是PECVD的具體工藝流程，不同材料和不同反應條件下，具體工藝流程會有所不同。

答案：

一，等離子增強化學氣相沉積，等離子體是物質分子熱運動加劇，相互間的碰撞會導致氣體分子產生電離，物質就會變成自由運動並由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。

二，據測算，光在硅表面的反射損失率高達35%左右，減反膜可以極高地提高電池片對太Sunny的利用率，有助於提高光生電流密度，進而提高轉換效率，同時薄膜中的氫對於電池片表面的鈍化降低了發射結的表面複合速率，減小了暗電流，提昇了開路電壓，提高了光電轉換效率；在燒穿工藝中的高溫瞬時退火斷裂了一些Si-H、N-H鍵，游離出來的H進一步加強了對電池的鈍化。由於光伏級硅材料中不可避免的含有大量的雜質和缺陷，導致硅中少子壽命及擴散長度降低，從而導致電池的轉換效率下降，H能與硅中的缺陷或雜質進行反應，從而將禁帶中的能帶轉入價帶或者導帶。

三、PECVD原理

PECVD 系統是一組利用平行板鍍膜舟和高頻等離子激發器的系列發生器。在低壓和升溫的情況下，等離子發生器直接裝在鍍膜板中間發生反應。所用的活性氣體為硅烷SiH4和氨NH3。這些氣體作用於存儲在硅片上的氮化硅。可以根據改變硅烷對氨氣的比率，來得到不同的折射指數。在沉積工藝中，伴有大量的氫原子和氫離子的產生，使得晶片的氫鈍化性十分良好。

在真空、480攝氏度的環境溫度下，通過對石墨舟的導電，使硅片的表面鍍上一層SixNy。3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2

太陽能電池膜原理，具體如下：

1、太Sunny照在半導體p-n結上，形成新的空穴-電子對，在p-n結電場的作用下，空穴由n區流向p區，電子由p區流向n區，接通電路後就形成電流。這就是光電效應太陽能電池的工作原理。

2、太陽能發電方式太陽能發電有兩種方式：一種是光—熱—電轉換方式，另一種是光—電直接轉換方式。