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例介紹一下MEMS表面加工工藝的具體流程。
1.硅片準備
2.熱氧生長二氧化硅（SiO2）作為絕緣層
3.LPCVD澱積氮化硅（Si3N4）作為絕緣及抗蝕層
4.LPCVD澱積多晶硅1（POLY1）作為底電極
5.多晶硅摻雜及退火
6.光刻及腐蝕POLY1，圖形轉移得到POLY1圖形
7.LPCVD磷硅玻璃（PSG）作為犧牲層
8.光刻及腐蝕PSG，圖形轉移得到BUMP圖形
9.光刻及腐蝕PSG形成錨區
10.LPCVD澱積多晶硅2（POLY2）作為結構層
MEMS的工藝流程包括以下幾個主要步驟：
1.設計和製造MEMS的掩膜；
2.將掩膜放在硅片上，並使用光刻機器將掩膜上的圖案傳播到硅片上；
3.使用化學刻蝕將硅片上不需要的部分蝕刻掉；
4.使用化學氣相沉積在硅片上沉積薄膜；
5.使用離子注入、擴散或者蒸發方法對硅片進行材料改變；
6.使用光刻或者電子束刻蝕方法製造微機械系統架構；
7.在硅片上添加電極、傳感器和其他電子元件。最終，這些步驟的組合將形成一個完整的MEMS器件。