MOS管場效應管AO4468參數
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）25°C時 10.5A（Ta）
驅動電壓最大Rds On最小Rds On 4.5V，10V
不同 Id，Vgs時的Rds On最大值 14 毫歐 @ 11.6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）最大值 3V @ 250µA
不同 Vgs時的柵極電荷Qg最大值 24nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds時的輸入電容Ciss最大值 1200pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SOIC
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
MOS管場效應管AO4468參數
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）25°C時 10.5A（Ta）
驅動電壓最大Rds On最小Rds On 4.5V，10V
不同 Id，Vgs時的Rds On最大值 14 毫歐 @ 11.6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）最大值 3V @ 250µA
不同 Vgs時的柵極電荷Qg最大值 24nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds時的輸入電容Ciss最大值 1200pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SOIC
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）