1. 浸沒式光刻是一種用於微電子製造中的光刻技術。
2. 在浸沒式光刻中，光刻膠被塗覆在硅片表面，然後通過光刻機器上的光源進行曝光。
曝光後，光刻膠會在曝光區域發生化學反應，形成圖案。
接著，硅片會被浸沒在化學溶液中，使得未曝光區域的光刻膠被溶解掉，而曝光區域的光刻膠則保留下來。
3. 浸沒式光刻相比傳統的接觸式光刻具有更高的分辨率和更好的圖案保真度。
它可以實現更小的特徵尺寸和更高的集成度，適用於製造高密度的微電子器件。
此外，浸沒式光刻還可以減少光刻膠與硅片之間的接觸，減少因接觸而引起的汙染和損傷，提高了製造的可靠性和穩定性。

浸沒式光刻是一種光刻技術，它是指在投影物鏡最後一個透鏡的下表面與硅片上的光刻膠之間充滿高折射率的液體（多為水）。這樣可以減少光的折射和散射，提高光的傳輸效率和分辨率，實現更小的線寬。

浸沒式光刻是在傳統的乾式光刻技術無法達到65nm節點時，為了延續摩爾定律而發展出來的一種創新技術。它可以讓原本193nm的光波，在水中波長變為134nm，突破了瑞利判據公式的極限。

浸沒式光刻技術雖然原理簡單，但實現起來非常困難，需要解決水中氣泡、水溫控制、水流控制等多方面的問題。目前，ASML是全球領先的浸沒式光刻機制造商，其浸沒式光刻機可以實現22nm的工藝節點。