1、內存條c17和c18的區別是:
2、不同的時間序列,即不同的響應時間,是以時鐘週期為單位的。
3、性能不同,其他條件不變,數字越小,性能越好。
4、價格不同,其他條件相同,數字越低,價Grand SantaFe高。
5、不同的粒子用於記憶。數量越少,粒子越好,超頻潛力越高。
6、不同的間距,C17和C18是不同的卡槽間距。
7、存儲器時序包含描述同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)性能的四個參數:CL、TRCD、TRP和TRAS,它們的單位是時鍾週期。它們通常由用破折號分隔的四個數字表示,如16-16-16-36。CAS延遲(CL):向內存發送列地址和數據響應之間的週期數。這是在正確的行打開的情況下從動態隨機存取存儲器讀取第一位存儲器所需的週期數。與其他數字不同,這不是最大值,而是內存控制器和內存之間必須達到的確切數字。至RAS CAS(TRCD):打開一行內存並訪問其中的列所需的最小時鍾週期數。從動態隨機存取存儲器的非活動行讀取存儲器的第一位的時間是TRCD時間。
1、內存條c17和c18的區別是:
2、不同的時間序列,即不同的響應時間,是以時鐘週期為單位的。
3、性能不同,其他條件不變,數字越小,性能越好。
4、價格不同,其他條件相同,數字越低,價Grand SantaFe高。
5、不同的粒子用於記憶。數量越少,粒子越好,超頻潛力越高。
6、不同的間距,C17和C18是不同的卡槽間距。
7、存儲器時序包含描述同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)性能的四個參數:CL、TRCD、TRP和TRAS,它們的單位是時鍾週期。它們通常由用破折號分隔的四個數字表示,如16-16-16-36。CAS延遲(CL):向內存發送列地址和數據響應之間的週期數。這是在正確的行打開的情況下從動態隨機存取存儲器讀取第一位存儲器所需的週期數。與其他數字不同,這不是最大值,而是內存控制器和內存之間必須達到的確切數字。至RAS CAS(TRCD):打開一行內存並訪問其中的列所需的最小時鍾週期數。從動態隨機存取存儲器的非活動行讀取存儲器的第一位的時間是TRCD時間。