這段時間,DDR5領域開始異常活躍,從顆粒廠商到模組廠商都在積極備戰,加速研發新產品,各大主機板廠商也紛紛投身其中。
中國產存儲品牌朗科科技日前宣布,DDR5內存已經進入研發階段,來自美光的首批DDR5 DRAM內存顆粒已抵達研發總部。
最新消息稱,朗科已經完成自產DDR5內存模組階段,正在與華碩、微星等主機板廠商合作驗證兼容性測試,進展順利,已成功開機並運行至操作系統。
據悉,朗科DDR5內存模組單根、單面規格容量為16GB,時序40-40-40,標準頻率4800MHz,電壓1.1V,採用美光的R5顆粒,編號為Z9ZSB ES,搭配最新黑板PCB,板號為KO-8802A-5。
這一顆粒採用1znm工藝製造,FBGA 82-ball封裝,長寬尺寸分別為11×9毫米。
朗科還宣稱,將會投入研發頻率達到甚至超過10GHz的DDR5內存產品,這也將是內存歷史上第一次跨越10GHz大關。
這段時間,DDR5領域開始異常活躍,從顆粒廠商到模組廠商都在積極備戰,加速研發新產品,各大主機板廠商也紛紛投身其中。
中國產存儲品牌朗科科技日前宣布,DDR5內存已經進入研發階段,來自美光的首批DDR5 DRAM內存顆粒已抵達研發總部。
最新消息稱,朗科已經完成自產DDR5內存模組階段,正在與華碩、微星等主機板廠商合作驗證兼容性測試,進展順利,已成功開機並運行至操作系統。
據悉,朗科DDR5內存模組單根、單面規格容量為16GB,時序40-40-40,標準頻率4800MHz,電壓1.1V,採用美光的R5顆粒,編號為Z9ZSB ES,搭配最新黑板PCB,板號為KO-8802A-5。
這一顆粒採用1znm工藝製造,FBGA 82-ball封裝,長寬尺寸分別為11×9毫米。
朗科還宣稱,將會投入研發頻率達到甚至超過10GHz的DDR5內存產品,這也將是內存歷史上第一次跨越10GHz大關。