日本NTT集團旗下裝置技術實驗室研發了磷化錮(InP)化合物半導體制造的6G超高速晶片,並在300GHz頻段進行了高速無…

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2019年11月20日-23日,由北京市人民政府、國家發改委、科學技術部、工業和資訊化部共同舉辦的首屆“世界5G大會…

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